TC 47

[Result of Voting on 47/2667/CDV - IEC 62435-9 ED1: Electronic components – Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 9: Special Cases]

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[IEC 63373 ED1: Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices]

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[Result of Voting on 47/2687/FDIS - IEC 63229 ED1: Semiconductor devices – Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate]

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques

IEC 63275-1 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température

IEC 63275-2 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque

[IEC 63284 ED1: Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors]

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[PNW 47-2689 ED1: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34-1: Power cycling test for power semiconductor module]

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[Result of Voting on 47/2676/FDIS - IEC 62830-7 ED1: Semiconductor devices - Semiconductor devices for energy harvesting and generation - Part 7- Linear sliding mode triboelectric energy harvesting]

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[IEC 63229 ED1: Semiconductor devices – Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate]

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[IEC 63287-2 ED1: Semiconductor devices – Guidelines for reliability qualification plans – Part 2: Concept of mission profile]

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IEC 62830-7 ED1: Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d’énergie – Partie 7 : Récupération d’énergie triboélectrique en mode de coulissement linéaire

[Unconfirmed minutes of TC 47 plenary meeting held online on 2020-11-20]

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[PNW 47-2685 ED1: Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices – Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence]

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[Result of Voting on 47/2665/NP - PNW 47-2665 ED1: Semiconductor devices – Semiconductor devices for IOT system – Part 1: Test method of sound variation detection]

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[PNW 47-2683 ED1: Semiconductor devices - Measurement and evaluation methods of kinetic energy harvesting devices under practical vibration environment - Part 2: Human arm swing motion]

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[List of decisions taken at the meeting of  47 held online on 2020-11-20]

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[Result of Voting on 47/2621/CDV - IEC 63229 ED1: Semiconductor devices – The classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate]

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[Compilation of Comments on 47/2622/CD - IEC 63275-1 ED1: Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability]

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[Compilation of Comments on 47/2623/CD - IEC 63275-2 ED1: Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation by body diode operating]

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[Compilation of Comments on 47/2624/CD - IEC 63284 ED1: Semiconductor devices - Reliability test method of on-stress reliability by inductive load switching for gallium nitride transistors]

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IEC 62830-7 ED1: Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d’énergie – Partie 7 : Récupération d’énergie triboélectrique en mode de coulissement linéaire

[IEC TR 63357 ED1: Semiconductor devices - Standardization roadmap of fault test method for automotive vehicles]

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[Result of Voting on 47/2668/FDIS - IEC 62830-5 ED1: Semiconductor devices - Semiconductor devices for energy harvesting and generation - Part 5: Test method for measuring generated power from flexible thermoelectric devices]

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IEC 62435-9 ED1: Composants électroniques – Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs – Partie 9: Cas particuliers

[PNW 47-2671 ED1: Semiconductor devices - Fault test method for automotive vehicles - Part 1: General conditions and definitions]

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[Replaced by 47/2670A/DL]

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IEC 60749-28 ED2: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d’essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé (CDM) - niveau du dispositif

IEC 62830-5 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production d'énergie - Partie 5 : Méthode d’essai pour la mesure de la puissance générée par des dispositifs thermoélectriques souples

[Result of Voting on 47/2664/FDIS - IEC 62435-7 ED1: Electronic components - Long-term storage of electronic semiconductor devices – Part 7: Micro-electromechanical devices]

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[IEC 60749-28 ED2: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level]

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[IEC 62830-8 ED1: Semiconductor devices - Semiconductor devices for energy harvesting and generation - Part 8- Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics]

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IEC 62435-7 ED1: Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 7: Dispositifs microélectromécaniques

IEC 62830-5 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d'énergie - Partie 5 : Méthode d’essai pour la mesure de la puissance générée par des dispositifs thermoélectriques souples

IEC 60749-37 ED2: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 37: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'un accéléromètre

IEC 60749-39 ED2: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 39: Mesure de la diffusion d'humidité et de l'hydrosolubilité dans les matériaux organiques utilisés dans les composants à semiconducteurs

IEC 63244-1 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour le transfert de puissance et la charge sans fil - Partie 1: Exigences et spécifications générales

[Revised draft agenda for the TC 47 meeting to be held online on 2020-11-20 (from 12:00 to 16:00 UTC)]

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[Review of Active Participation of P-members in the Work of  47 ]

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IEC 62435-7 ED1: Stockage de longue durée des composants électroniques - Partie 7: Dispositifs microélectromécaniques

[PNW 47-2665 ED1: Semiconductor devices – Semiconductor devices for IOT system – Part 1: Test method of sound variation detection]

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[Result of Voting on 47/2580/CDV - IEC 62830-7 ED1: Semiconductor devices - Semiconductor devices for energy harvesting and generation - Part 7- Linear sliding mode triboelectric energy harvesting]

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[Result of Voting on 47/2635/NP - PNW 47-2635: Semiconductor devices – Guidelines for reliability qualification plans – Part 2: Concept of Mission profile]

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[Result of Voting on 47/2614/CDV - IEC 63287-1 ED1: Semiconductor devices – Generic semiconductor qualification guidelines – Part 1: Guidelines for LSI reliability qualification]

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[Next meeting of  47 and its Subcommittees 47A, 47D, 47E and 47F originally taking place in Frankfurt, Germany from 16 to 20 November 2020 is now to be a virtual meeting]

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[Review and Maintenance – call for comments/ proposals on publications coming up for review and a call for experts]

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[Draft agenda for the TC 47 meeting to be held online on 2020-11-20 (from 12:00 to 16:00 UTC)]

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[Compilation of Comments on 47/2601/CD - IEC 62830-8 ED1: Semiconductor devices - Semiconductor devices for energy harvesting and generation - Part 8- Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics]

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[IEC 62951-9 ED1: Semiconductor devices - Flexible and stretchable semiconductor devices – Part 9: Performance testing methods of one transistor and one resistor (1T1R) resistive memory cells]

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[IEC 62951-8 ED1: Semiconductor devices - Flexible and stretchable semiconductor devices – Part 8: Test method for stretchability, flexibility and stability of flexible resistive memory]

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 37: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'un accéléromètre

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 39: Mesure de la diffusion d'humidité et de l'hydrosolubilité dans les matériaux organiques utilisés dans les composants à semiconducteurs

[Result of Voting on 47/2596/NP - PNW 47-2596: Future IEC 62951-8: Semiconductor devices - Flexible and strechable semiconductor devices – Part 8: Test method for stretchability, flexibility, and stability of flexible resistive memory]

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[Result of Voting on 47/2617/NP - PNW 47-2617: Future IEC 62435-9: Electronic components – Long-term storage of electronic semiconductor devices - Part 9: Special Cases]

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[Result of Voting on 47/2634/FDIS - IEC 60749-20 ED3: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 20: Resistance of plastic encapsulated SMDs to the combined effect of moisture and soldering heat]

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[Result of Voting on 47/2633/FDIS - IEC 60749-30 ED2: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 30: Preconditioning of non-hermetic surface mount devices prior to reliability testing]

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[Result of Questionnaire on 47/2632/Q: Merging WG 2 with WG 3 and nomination of co-onvenor in  47/ 2]

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[Result of Voting on 47/2631/FDIS - IEC 60749-41 ED1: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 41: Standard reliability testing methods of non-volatile memory devices]

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[Result of Voting on 47/2627/FDIS - IEC 62373-1 ED1: Semiconductor devices – Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET]

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[Result of Voting on 47/2628/FDIS - IEC 63068-3 ED1: Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence]

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[Result of Voting on 47/2630/FDIS - IEC 60749-15 ED3: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 15: Resistance to soldering temperature for through-hole mounted devices]

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[Result of Voting on 47/2610/NP - PNW 47-2610: Future IEC 62951-9: Semiconductor devices - Flexible and strechable semiconductor devices – Part 9: Performance and reliability testing methods of  one transistor and one resistor (1T1R) resistive memory cells]

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[Result of Voting on 47/2594/NP - PNW 47-2594: Semiconductor devices - Semiconductor devices for IoT-based fire detection system– Part 1: Test method of semiconductor devices for IoT-based sound variation fire detection system]

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IEC 60749-30 ED2: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

IEC 60749-20 ED3: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20 : Résistances des CMS à boîtier plastique à l’effet combiné de l’humidité et de la chaleur de brasage

[Compilation of Comments on 47/2592/CD - IEC 63244-1 ED1: Semiconductor devices - Semiconductor devices for wireless power transfer and charging - Part 1 : General requirements and specifications]

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IEC 60749-41 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 41: Méthodes d’essai normalisées pour la fiabilité des dispositifs à mémoire non volatile

IEC 60749-15 ED3: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de brasage pour dispositifs par trous traversants

IEC 60749-20 ED3: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20 : Résistances des CMS à boîtier plastique à l’effet combiné de l’humidité et de la chaleur de brasage

[PNW 47-2635: Semiconductor devices – Guidelines for reliability qualification plans – Part 2: Concept of Mission profile]

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IEC 60749-30 ED2: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

IEC 60749-41 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 41: Méthodes d’essai normalisées pour la fiabilité des dispositifs à mémoire non volatile

[Merging WG 2 with WG 3 and nomination of co-convenor in TC 47 / WG 2  ]

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IEC 60749-15 ED3: Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de brasage pour dispositifs par trous traversants

[IEC 63229 ED1: Semiconductor devices – The classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate]

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IEC 62373-1 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) – Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET

IEC 63068-3 ED1: Dispositifs à semiconducteurs - Critères de reconnaissance non destructifs des défauts présents au sein d’une plaquette homoépitaxiale de carbure de silicium destinée aux dispositifs d’alimentation - Partie 3 : Méthode d’essai pour les défauts à l’aide de la photoluminescence

[Result of Voting on 47/2562/CDV - IEC 60749-30 ED2: Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 30: Preconditioning of non-hermetic surface mount devices prior to reliability testing]

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