International Standards and Conformity Assessment for all electrical, electronic and related technologies

TC 47

Dispositifs à semiconducteurs

 
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TC 47 Programme de Travail (20)

Référence

Projet

Référence

Document

Init.

Date

Stage

Courant

Prochain

Stage

Working

Group

Project

Leader

Fcst. Publ.

Date

47/2576A/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2019-08

2019-09

WG 5 2022-03
47/2577A/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2019-08

2019-09

WG 5 2022-03
47/2578/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2019-08

2019-09

WG 5 2022-03
47/2594/NP PNW
  • PNW
  • New Work Item Proposal

2019-09

PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN document

2019-12

WG 6 Hojun Ryu 2021-12
47/2596/NP PNW
  • PNW
  • New Work Item Proposal

2019-10

PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN document

2019-12

WG 6 Namsu Kim 2022-05
IEC 60749-15 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de brasage pour dispositifs par trous traversants

47/2575/CDV 2019-05 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-09

2019-12

WG 2 Jim Lynch 2020-08
IEC 60749-20 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20 : Résistances des CMS à boîtier plastique à l’effet combiné de l’humidité et de la chaleur de brasage

47/2563/CDV 2019-04 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-08

2019-11

WG 2 Jim Lynch 2020-07
IEC 60749-30 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

47/2562/CDV 2019-04 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-08

2019-11

WG 2 Jim Lynch 2020-07
IEC 60749-41 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 41: Méthodes d’essai normalisées pour la fiabilité des dispositifs à mémoire non volatile

47/2584/CDV 2015-10 CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as CDV

2019-08

PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-11

WG 2 Jim Lynch 2020-10
IEC 62373-1 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) – Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET

47/2570/CDV 2017-08 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-09

2019-11

WG 5 Hideya Matsuyama 2020-07
IEC 62435-3 ED1

Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 3 : Données

47/2491/CDV 2011-03 RFDIS
  • RFDIS
  • FDIS received and registered

2019-05

CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2019-08

WG 3 Alan Lucero 2020-02
IEC 62435-7 ED1

Stockage de longue durée des composants électroniques - Partie 7: Dispositifs microélectromécaniques

47/2555/CDV 2018-06 AFDIS
  • AFDIS
  • Approved for FDIS

2019-10

WG 3 Alan Lucero 2020-06
47/2540/CD 2018-06 TCDV
  • TCDV
  • Translation of CDV

2019-09

CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as CDV

2019-11

WG 3 Alan Lucero 2020-12
IEC 62779-4 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 4 : Capsule endoscopique

47/2524/CDV 2017-04 RFDIS
  • RFDIS
  • FDIS received and registered

2019-10

CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2019-12

WG 6 Byoung Nam Lee 2020-03
IEC 62830-5 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d'énergie - Partie 5 : Méthode d’essai pour la mesure de la puissance générée par des dispositifs thermoélectriques souples

47/2545/CDV 2015-11 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-06

2019-09

WG 7 Namsu Kim 2020-09
IEC 62830-7 ED1

Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d’énergie – Partie 7 : Récupération d’énergie triboélectrique en mode de coulissement linéaire

47/2580/CDV 2018-07 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-10

2020-01

WG 7 Jae Yeong Park 2020-09
47/2529/NP 2019-04 ACD
  • ACD
  • Approved for CD

2019-04

CD
  • CD
  • Draft circulated as CD

2019-05

WG 7 Jae Yeong Park 2021-06
IEC 63068-3 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Critères de reconnaissance non destructifs des défauts présents au sein d’une plaquette homoépitaxiale de carbure de silicium destinée aux dispositifs d’alimentation - Partie 3 : Méthode d’essai pour les défauts à l’aide de la photoluminescence

47/2588/CDV 2018-08 CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as CDV

2019-09

PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-12

WG 5 Junji SENZAKI 2020-11
47/2599/CD 2018-11 CD
  • CD
  • Draft circulated as CD

2019-10

PCC
  • PCC
  • Preparation of CC document

2020-01

WG 5 Zhihong Feng 2021-04
47/2592/CD 2019-04 CD
  • CD
  • Draft circulated as CD

2019-09

PCC
  • PCC
  • Preparation of CC document

2019-12

WG 7 Cheolung Cha 2021-02