TC 47

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d’essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé (CDM) - niveau du dispositif

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 37: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'un accéléromètre

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 39: Mesure de la diffusion d'humidité et de l'hydrosolubilité dans les matériaux organiques utilisés dans les composants à semiconducteurs

Composants électroniques – Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs – Partie 9: Cas particuliers

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour le transfert de puissance et la charge sans fil - Partie 1: Exigences et spécifications générales

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque

Dispositifs à semiconducteurs – Lignes directrices génériques concernant la qualification des semiconducteurs – Partie 1: Lignes directrices concernant la qualification de la fiabilité de l’intégration à grande échelle (LSI)