International Standards and Conformity Assessment for all electrical, electronic and related technologies

TC 47

Dispositifs à semiconducteurs

 
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TC 47 Programme de Travail (24)

Référence

Projet

Référence

Document

Init.

Date

Stage

Courant

Prochain

Stage

Working

Group

Project

Leader

Fcst. Publ.

Date

PWI
  • PWI
  • Preliminary Work Item

2019-12

2020-06

WG 6 Wonjong KIM
PWI
  • PWI
  • Preliminary Work Item

2019-12

2020-06

WG 6 Wonjong KIM
47/2594/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2019-12

2020-01

WG 6 Hojun Ryu 2021-12
47/2596/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2019-12

2020-01

WG 6 Namsu Kim 2022-05
47/2610/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2020-02

2020-03

WG 6 Deok-kee Kim 2022-07
47/2617/NP PRVN
  • PRVN
  • Preparation of RVN

2020-04

2020-05

WG 3 2021-07
IEC 60749-15 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de brasage pour dispositifs par trous traversants

47/2630/FDIS 2019-05 CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2020-05

PRVD
  • PRVD
  • Preparation of RVD document

2020-06

WG 2 Jim Lynch 2020-08
IEC 60749-20 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20 : Résistances des CMS à boîtier plastique à l’effet combiné de l’humidité et de la chaleur de brasage

47/2563/CDV 2019-04 RFDIS
  • RFDIS
  • FDIS received and registered

2020-05

CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2020-07

WG 2 Jim Lynch 2020-10
47/2625/RR 2020-04 ACDV
  • ACDV
  • Approved for CDV

2020-04

TCDV
  • TCDV
  • Translation of CDV

2020-07

WG 2 Jim Lynch 2021-07
IEC 60749-30 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

47/2633/FDIS 2019-04 CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2020-05

PRVD
  • PRVD
  • Preparation of RVD document

2020-07

WG 2 Jim Lynch 2020-09
IEC 60749-41 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 41: Méthodes d’essai normalisées pour la fiabilité des dispositifs à mémoire non volatile

47/2631/FDIS 2015-10 CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2020-05

PRVD
  • PRVD
  • Preparation of RVD document

2020-06

WG 2 Jim Lynch 2020-09
IEC 62373-1 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) – Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET

47/2627/FDIS 2017-08 CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2020-05

PRVD
  • PRVD
  • Preparation of RVD document

2020-06

WG 5 Hideya Matsuyama 2020-08
IEC 62435-7 ED1

Stockage de longue durée des composants électroniques - Partie 7: Dispositifs microélectromécaniques

47/2555/CDV 2018-06 AFDIS
  • AFDIS
  • Approved for FDIS

2019-10

WG 3 Alan Lucero 2021-01
IEC 62435-8 ED1

Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 8 : Dispositifs électroniques passifs

47/2595/CDV 2018-06 RPUB
  • RPUB
  • Publication received and registered

2020-04

BPUB
  • BPUB
  • Publication being printed

2020-07

WG 3 Alan Lucero 2020-07
IEC 62830-5 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d'énergie - Partie 5 : Méthode d’essai pour la mesure de la puissance générée par des dispositifs thermoélectriques souples

47/2545/CDV 2015-11 AFDIS
  • AFDIS
  • Approved for FDIS

2019-11

TFDIS
  • TFDIS
  • Translation of FDIS

2020-02

WG 7 Namsu Kim 2021-01
IEC 62830-7 ED1

Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d’énergie – Partie 7 : Récupération d’énergie triboélectrique en mode de coulissement linéaire

47/2580/CDV 2018-07 PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2019-10

2020-01

WG 7 Jae Yeong Park 2021-03
47/2601/CD 2019-04 PCC
  • PCC
  • Preparation of CC

2020-01

2020-02

WG 7 Jae Yeong Park 2021-06
IEC 63068-3 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Critères de reconnaissance non destructifs des défauts présents au sein d’une plaquette homoépitaxiale de carbure de silicium destinée aux dispositifs d’alimentation - Partie 3 : Méthode d’essai pour les défauts à l’aide de la photoluminescence

47/2628/FDIS 2018-08 CFDIS
  • CFDIS
  • Draft circulated as FDIS

2020-05

PRVD
  • PRVD
  • Preparation of RVD document

2020-06

WG 5 Junji SENZAKI 2020-08
47/2621/CDV 2018-11 CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as CDV

2020-05

PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2020-07

WG 5 Zhihong Feng 2021-04
47/2592/CD 2019-04 PCC
  • PCC
  • Preparation of CC

2019-12

2020-01

WG 7 Cheolung Cha 2021-06
47/2622/CD 2019-11 CD
  • CD
  • Draft circulated as CD

2020-03

PCC
  • PCC
  • Preparation of CC document

2020-06

WG 5 KOJI YAMAGUCHI 2022-03
47/2623/CD 2019-11 CD
  • CD
  • Draft circulated as CD

2020-03

PCC
  • PCC
  • Preparation of CC document

2020-06

WG 5 KOJI YAMAGUCHI 2022-03
47/2624/CD 2020-01 CD
  • CD
  • Draft circulated as CD

2020-03

PCC
  • PCC
  • Preparation of CC document

2020-06

WG 5 MANABU YANAGIHARA 2022-05
IEC 63287-1 ED1

Dispositifs à semiconducteurs – Lignes directrices génériques concernant la qualification des semiconducteurs – Partie 1: Lignes directrices concernant la qualification de la fiabilité de l’intégration à grande échelle (LSI)

47/2614/CDV 2020-01 CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as CDV

2020-03

PRVC
  • PRVC
  • Preparation of RVC

2020-05

WG 2 Jim Lynch 2021-04