TC 47 |
Dispositifs à semiconducteurs |
TC 47 Fichiers Projets (353)
Référence Projet |
Stage Courant |
Language
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Frcst Date |
CLC
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Référence Document |
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EN | U | 47/1409/NP | |||
DEL
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EN | U | 47/1411/NP | |||
DEL
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EN | U | 47/1473/NP |
 68 kB |
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DEL
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EN | U | 47/1725A/NP |
100 kB |
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DEL
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EN | U | 47/1744/NP |
71 kB |
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DEL
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EN | U | 47/1772/NP |
81 kB |
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DEL
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EN | U | 47/1881/NP |
295 kB |
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DEL
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EN | U | 47/1973/NP |
605 kB |
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DEL
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EN | U | 47/2119A/NP |
948 kB |
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DEL
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777 kB |
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DEL
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690 kB |
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967 kB |
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DEL
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514 kB |
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DEL
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1605 kB |
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EN | 2023-12 | U | 47/2671/NP |
375 kB |
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PRVN
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876 kB |
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PRVN
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1705 kB |
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PNW
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EN | 2024-05 | U | 47/2689/NP |
484 kB |
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IEC 60147-0 ED2
Examen systématique de la CEI 147-0 (1966)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0:1966 ED1
Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 0: Généralités et terminologie
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1 ED3
Examen systématique de la CEI 147-1 (1972)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1:1972 ED2
Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesures - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2 ED2
Examen systématique de la CEI 147-2 (1963)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2:1963 ED1
Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-3 ED2
Examen systématique de la CEI 147-3 (1970)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-3:1970 ED1
Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 3: Méthodes de mesure de référence
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-4 ED2
Examen systématique de la CEI 147-4 (1976)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-4:1976 ED1
Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 4: Réception et fiabilité
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0B ED2
Examen systématique de la CEI 147-0B (1969)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0B:1969 ED1
Complément B - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 0: Généralités et terminologie
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0C ED2
Examen systématique de la CEI 147-0C (1973)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0C:1973 ED1
Complément C - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesure - Partie 0: Généralités et terminologie
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0F ED2
Examen systématique de la CEI 147-0F (1982)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-0F:1982 ED1
Complément F - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesure - Partie 0: Généralités et terminologie
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1F ED3
Examen systématique de la CEI 147-1F (1973)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1F:1973 ED2
Complément F - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1G:1975 ED2
Complément G - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesures - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles
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DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1H ED3
Examen systématique de la CEI 147-1H (1975)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1H:1981 ED2
Complément H - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesures - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1J ED3
Examen systématique de la CEI 147-1J (1981)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-1J:1981 ED2
Complément J - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles
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WPUB
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EN-FR | U | |||
|
IEC 60147-2B ED2
Examen systématique de la CEI 147-2B (1970)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2B:1970 ED1
Complément B - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2C ED2
Examen systématique de la CEI 147-2C (1970)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2C:1970 ED1
Complément C - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure
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WPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2F ED2
Examen systématique de la CEI 147-2F (1974)
|
DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2F:1974 ED1
Complément F - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure
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WPUB
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EN-FR | U | |||
|
IEC 60147-2K ED2
Examen systématique de la CEI 147-2K (1978)
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DEL
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EN-FR | U | |||
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IEC 60147-2K:1978 ED1
Complément K - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure
|
WPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60147-2M ED2
Examen systématique de la CEI 147-2M (1980)
|
DEL
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60147-2M:1980 ED1
Complément M - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des
dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de
mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure
|
WPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60147-3A ED2
Examen systématique de la CEI 147-3A (1973)
|
DEL
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EN-FR | U | |||
|
IEC 60147-3A:1973 ED1
Complément A - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 3: Méthodes de mesure de référence
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WPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60747-1:2006+AMD1:2010 CSV ED2.1
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités
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PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60747-1:2006 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités
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PPUB
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EN-FR | N | Webstore | ||
|
IEC 60747-1/FRAG1 ED2
Révision du terme 'catégorie d'assurance qualité'
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DEL
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EN-FR | U | 47(SEC.)/1246/CDV | ||
DEL
|
EN | U | 47(SEC.)/1284/CDV | |||
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IEC 60747-1/FRAGF ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités
|
MERGED
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FR | 2009-10 | U | ||
PPUB
|
EN | U | Webstore | |||
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IEC 60747-1:2006/AMD1:2010 ED2
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités
|
PPUB
|
EN-FR | 2010-05 | N | Webstore | |
|
IEC 60747-1:1983 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Première
partie: Généralités
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DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60747-1:1983/AMD2:1993 ED1
Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 1: Généralités
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DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60747-1:1983/AMD3:1996 ED1
Amendement 3 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Première
partie: Généralités
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DELPUB
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EN-FR | U | |||
DEL
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EN | U | 47(SEC.)/1312/CD | |||
MERGED
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EN | Y | 47/1522/CC |
82 kB |
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MERGED
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EN | Y | 47/1523/CC |
151 kB |
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IEC 60749:1996+AMD1:2000+AMD2:2001 CSV ED2.2
Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques
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WPUB
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EN-FR | U | |||
|
IEC 60749:1996 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques
|
WPUB
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EN-FR | U | 47/1394/FDIS | ||
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IEC 60749:1996/AMD1:2000 ED2
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques
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WPUB
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EN-FR | Y | 47/1477/FDIS |
|
|
DEL
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EN | U | 47/1390/CD | |||
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IEC 60749:1996/AMD2:2001 ED2
Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques
|
WPUB
|
EN-FR | Y | 47/1574/FDIS |
|
|
|
IEC 60749:1984 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques .
|
DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749:1984/AMD1:1991 ED1
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques .
|
DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749:1984/AMD2:1993 ED1
Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques .
|
DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749/AMD4/FRAG1 ED1
Essais mécaniques et climatiques - Méthode d'essai pour détecter la présence d'humidité à l'intérieur d'un boîtier
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DEL
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EN-FR | U | 47(SEC.)/1257/CD | ||
DEL
|
EN | U | ||||
|
IEC 60749/AMD4/FRAG6 ED1
Amendements à la CEI 749 - Inclusion des dispositifs
optoélectroniques à semiconducteurs - Inclusion des dispositifs
d'affichage à cristaux liquides - Essais d'endurance
|
DEL
|
EN-FR | U | 47(SEC.)/1276/CD | ||
|
IEC 60749-1:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 1: Généralités
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-1:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 1: Généralités
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PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-2:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 2: Basse pression atmosphérique
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-2:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 2: Basse pression atmosphérique
|
PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-3:2017 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 3: Examen visuel externe
|
PPUB
|
EN | 2017-03 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-3/FRAGF ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 3: Examen visuel externe
|
MERGED
|
FR | Y | |||
|
IEC 60749-3:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 3 : Examen visuel externe
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1596/FDIS |
|
|
|
IEC 60749-3:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 3: Examen visuel externe
|
DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-4:2017 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 4: Essai continu fortement acceléré de contrainte de chaleur humide (HAST)
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PPUB
|
EN | 2017-03 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-4/FRAGF ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 4: Essai continu fortement acceléré de contrainte de chaleur humide (HAST)
|
MERGED
|
FR | Y | |||
|
IEC 60749-4:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 4: Essai continu fortement accéléré de contrainte de chaleur humide (HAST)
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1602/FDIS |
|
|
|
IEC 60749-4:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 4: Essai continu fortement accéléré de contrainte de chaleur humide (HAST)
|
DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-5:2017 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 5: Essai continu de durée de vie sous température et humidité avec polarisation
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PPUB
|
EN | 2017-05 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-5/FRAGF ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 5: Essai continu de durée de vie sous température et humidité avec polarisation
|
MERGED
|
FR | Y | |||
|
IEC 60749-5:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 5: Essai continu de durée de vie sous température et humidité avec polarisation
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1661/FDIS |
|
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|
IEC 60749-6:2017 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 6: Stockage à haute température
|
PPUB
|
EN | 2017-03 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-6/FRAGF ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 6: Stockage à haute température
|
MERGED
|
FR | Y | |||
|
IEC 60749-6:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 6: Stockage à haute température
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1603/FDIS |
|
|
|
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 6: Stockage à haute température
|
DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-7:2011 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 7: Mesure de la teneur en humidité interne et analyse des autres gaz résiduels
|
PPUB
|
EN-FR | 2011-06 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-7:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 7: Mesure de la teneur en humidité interne et analyse des autres gaz résiduels
|
DELPUB
|
EN-FR | 2002-05 | Y | 47/1597/FDIS |
|
|
IEC 60749-7:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 7: Mesure de la teneur en humidité interne et analyse des autres gaz résiduels
|
DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-8:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8: Etanchéité
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-8:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8: Etanchéité
|
PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-8:2002/COR2:2003 ED1
Corrigendum 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8: Etanchéité
|
PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-9:2017 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 9: Permanence du marquage
|
PPUB
|
EN | 2017-03 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-9/FRAGF ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 9: Permanence du marquage
|
MERGED
|
FR | Y | |||
|
IEC 60749-9:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 9: Permanence du marquage
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1604/FDIS |
|
|
|
IEC 60749-9:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 9: Permanence du marquage
|
DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-10 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques
|
TCDV
|
EN | 2022-06 | Y | 47/2691/RR |
92 kB |
|
IEC 60749-10:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-10:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques
|
PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-11:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-11:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains
|
PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-11:2002/COR2:2003 ED1
Corrigendum 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains
|
PPUB
|
EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-12:2017 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 12: Vibrations, fréquences variables
|
PPUB
|
EN-FR | 2018-01 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-12:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 12: Vibrations, fréquences variables
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1606/FDIS |
|
|
|
IEC 60749-12:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 12: Vibrations, fréquences variables
|
DELPUB
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-13:2018 ED2
Dispositifs à seminconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 13: Atmosphère saline
|
PPUB
|
EN-FR | 2018-02 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-13:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 13 : Atmosphère saline
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1599/FDIS |
|
|
|
IEC 60749-13:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 13: Atmosphère saline
|
DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749-14:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 14: Robustesse des sorties (integrité des connexions)
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
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IEC 60749-15:2020 ED3
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de brasage pour dispositifs par trous traversants
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PPUB
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EN-FR | 2020-08 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-15:2010 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de soudage pour dispositifs par trous traversants
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DELPUB
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EN-FR | 2010-11 | Y | 47/2067/FDIS |
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IEC 60749-15:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de soudage pour dispositifs par trous traversants
|
DELPUB
|
EN-FR | 2003-03 | Y | 47/1663/FDIS |
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IEC 60749-16:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 16: Détection de bruit d'impact de particules (PIND)
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
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IEC 60749-17:2019 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 17: Irradiation aux neutrons
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PPUB
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EN-FR | 2019-04 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-17:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 17: Irradiation aux neutrons
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DELPUB
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EN-FR | Y | 47/1668/FDIS |
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IEC 60749-18:2019 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 18: Rayonnements ionisants (dose totale)
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PPUB
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EN-FR | 2019-05 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-18:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 18: Rayonnements ionisants (dose totale)
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DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1657/FDIS |
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IEC 60749-19:2003+AMD1:2010 CSV ED1.1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement
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PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
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IEC 60749-19:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 ED1
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement
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PPUB
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EN-FR | 2010-08 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-20:2020 ED3
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20 : Résistances des CMS à boîtier plastique à l’effet combiné de l’humidité et de la chaleur de brasage
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PPUB
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EN-FR | 2020-08 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-20:2008 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20: Résistance des CMS à boîtier plastique à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de brasage
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DELPUB
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EN-FR | 2008-12 | Y | 47/1989/FDIS |
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IEC 60749-20:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20: Résistance des CMS à boîtier plastique à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de soudage
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DELPUB
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EN-FR | 2002-09 | Y | 47/1638/FDIS |
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IEC 60749-20:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20: Résistance des CMS à boîtier plastique à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de soudage
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DELPUB
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749-20-1:2019 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20-1: Manipulation, emballage, étiquetage et transport des composants pour montage en surface sensibles à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de brasage
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PPUB
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EN-FR | 2019-07 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-20-1:2009 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20-1: Manipulation, emballage, étiquetage et transport des composants pour montage en surface sensibles à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de brasage
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DELPUB
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EN-FR | 2009-04 | Y | 47/2010/FDIS |
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IEC 60749-21:2011 ED2
Dispositifs à semiconducteur - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 21: Brasabilité
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PPUB
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EN-FR | 2011-04 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-21:2004 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 21: Brasabilité
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DELPUB
|
EN-FR | 2004-03 | Y | 47/1741/FDIS |
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IEC 60749-21/FRAGF ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 21: Brasabilité
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MERGED
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749-22:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 22: Robustesse des contacts soudés
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-22:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 22: Robustesse des contacts soudés
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PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
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IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV ED1.1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 23: Durée de vie en fonctionnement à haute température
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PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-23:2004 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 23 : Durée de vie en fonctionnement à haute température
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 ED1
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 23: Durée de vie en fonctionnement à haute température
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PPUB
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EN-FR | 2011-02 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-24:2004 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 24: Résistance à l'humidité accélérée - HAST sans polarisation
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-24/FRAGF ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 24: Résistance à l'humidité accélérée - HAST sans polarisation
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MERGED
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EN-FR | U | |||
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IEC 60749-25:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 25: Cycles de température
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-26:2018 ED4
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)
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PPUB
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EN-FR | 2018-02 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-26:2013 ED3
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)
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DELPUB
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EN-FR | 2013-05 | N | 47/2160/FDIS |
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|
IEC 60749-26:2006 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)
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DELPUB
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EN-FR | 2006-07 | Y | 47/1859/FDIS |
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IEC 60749-26:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)
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DELPUB
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EN-FR | Y | 47/1703/FDIS |
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|
IEC 60749-27:2006 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de machine (MM)
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PPUB
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EN-FR | 2006-08 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-27:2006/AMD1:2012 ED2
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de machine (MM)
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PPUB
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EN-FR | 2012-09 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-27:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de machine (MM)
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DELPUB
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EN-FR | Y | 47/1704/FDIS |
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IEC 60749-28 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d’essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de dispositif chargé (CDM) - niveau du dispositif
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PRVC
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EN-FR | 2022-01 | Y | 47/2661/CDV |
2106 kB |
PPUB
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EN | 2017-04 | Y | Webstore | ||
MERGED
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EN | Y | 47/1751/CDV |
259 kB |
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|
IEC 60749-29:2011 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 29: Essai de verrouillage
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PPUB
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EN-FR | 2011-04 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-29:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 29: Essai de verrouillage
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DELPUB
|
EN-FR | 2003-11 | Y | 47/1713/FDIS |
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|
IEC 60749-30:2020 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité
|
PPUB
|
EN-FR | 2020-08 | Y | Webstore | |
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IEC 60749-30:2005+AMD1:2011 CSV ED1.1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité
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DELPUB
|
EN-FR | U | |||
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IEC 60749-30:2005 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité
|
DELPUB
|
EN-FR | Y | 47/1790/FDIS |
|
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|
IEC 60749-30:2005/AMD1:2011 ED1
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité
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DELPUB
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EN-FR | 2011-05 | Y | 47/2019/CDV |
238 kB 332 kB |
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IEC 60749-31:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 31: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause interne d'inflammation)
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-31:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 31: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause interne d'inflammation)
|
PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-32:2002+AMD1:2010 CSV ED1.1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)
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PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
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IEC 60749-32:2002 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
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IEC 60749-32:2002/COR1:2003 ED1
Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)
|
PPUB
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EN-FR | U | Webstore | ||
|
IEC 60749-32:2002/AMD1:2010 ED1
Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)
|
PPUB
|
EN-FR | 2010-07 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-33:2004 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 33: Résistance à l'humidité accélérée - Autoclave sans polarisation
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PPUB
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EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-33/FRAGF ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et
climatiques - Partie 33: Résistance à l'humidité accélérée - Autoclave sans polarisation
|
MERGED
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-34:2010 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Part 34: Cycles en puissance
|
PPUB
|
EN-FR | 2010-11 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-34:2004 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 34: Cycles en puissance
|
DELPUB
|
EN-FR | 2004-03 | Y | 47/1738/FDIS |
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|
IEC 60749-34/FRAGF ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et
climatiques - Partie 34: Cycles en puissance
|
MERGED
|
EN-FR | U | |||
|
IEC 60749-35:2006 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 35: Microscopie acoustique pour composants électroniques à boîtier plastique
|
PPUB
|
EN-FR | 2006-08 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-36:2003 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 36: Accélération constante
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-37 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 37: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'un accéléromètre
|
PRVC
|
EN-FR | 2022-03 | Y | 47/2651/CDV |
1098 kB 1092 kB |
|
IEC 60749-37:2008 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 37: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'un accéléromètre
|
PPUB
|
EN-FR | 2008-02 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-38:2008 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 38: Méthode d'essai des erreurs logicielles pour les dispositifs à semiconducteurs avec mémoire
|
PPUB
|
EN-FR | 2008-02 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-39 ED2
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 39: Mesure de la diffusion d'humidité et de l'hydrosolubilité dans les matériaux organiques utilisés dans les composants à semiconducteurs
|
PRVC
|
EN-FR | 2022-03 | Y | 47/2652/CDV |
397 kB 466 kB |
|
IEC 60749-39:2006 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 39: Mesure de la diffusion d'humidité et de l'hydrosolubilité dans les matériaux organiques utilisés dans les composants à semiconducteurs
|
PPUB
|
EN-FR | 2006-09 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-40:2011 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais climatiques et mécaniques - Partie 40: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'une jauge de contrainte
|
PPUB
|
EN-FR | 2011-07 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-41:2020 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 41: Méthodes d’essai normalisées pour la fiabilité des dispositifs à mémoire non volatile
|
PPUB
|
EN-FR | 2020-08 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-42:2014 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 42: Stockage de température et d'humidité
|
PPUB
|
EN-FR | 2014-08 | Y | Webstore | |
|
IEC 60749-43:2017 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 43: Lignes directrices concernant les plans de qualification de la fiabilité des CI
|
PPUB
|
EN-FR | Y | Webstore | ||
|
IEC 60749-44:2016 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 44: Méthode d'essai des effets d'un événement isolé (SEE) irradié par un faisceau de neutrons pour des dispositifs à semiconducteurs
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PPUB
|
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MERGED
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DELPUB
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IEC 62113 ED1
NP-CDV: Dispositifs à semiconducteurs - Information de l'obsolescence des semiconducteurs
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DEL
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IEC 62258-1:2009 ED2
Produits de puces de semiconducteurs - Partie 1: Approvisionnement et utilisation
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IEC 62258-2:2011 ED2
Produits de puces de semiconducteurs - Partie 2: Formats d'échange de données
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IEC 62258-2:2005 ED1
Produits de puces de semiconducteurs - Partie 2: Formats d'échange de données
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IEC 62258-2/FRAGF ED1
Produits de puces de semiconducteurs - Partie 2: Formats d'échange de données
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IEC TR 62258-3:2010 ED2
Produits à puces de semi-conducteurs - Partie 3: Bonnes pratiques recommandées pour la manipulation, le conditionnement et le stockage
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IEC TR 62258-4:2012 ED2
Produits de puces de semiconducteurs - Partie 4: Questionnaire destiné aux utilisateurs et fournisseurs de puces
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IEC 62258-5:2006 ED1
Produits de puce de semiconducteurs - Partie 5: Exigences pour les informations concernant la simulation électrique
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PPUB
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IEC 62258-5/FRAGF ED1
Produits de puce de semiconducteurs - Partie 5: Exigences pour les informations concernant la simulation électrique
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MERGED
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DEL
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EN | U | 47/1635/PAS |
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IEC 62373:2006 ED1
Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET)
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PPUB
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EN-FR | 2006-09 | Y | Webstore | |
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IEC 62373-1:2020 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) - Partie 1: Essai rapide de BTI pour les MOSFET
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PPUB
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IEC 62374:2007 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essai de rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour films diélectriques de grille
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PPUB
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EN-FR | 2007-01 | Y | Webstore | |
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IEC 62374-1:2010 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Essai de rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour les couches intermétalliques
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PPUB
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IEC 62415:2010 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essai d'électromigration en courant constant
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EN-FR | 2010-06 | Y | Webstore | |
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IEC 62416:2010 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS
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EN-FR | 2010-04 | Y | Webstore | |
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IEC 62417:2010 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs)
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PPUB
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EN-FR | 2010-04 | Y | Webstore | |
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IEC 62418:2010 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Essai sur les cavités dues aux contraintes de la métallisation
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IEC 62435-1:2017 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 1: Généralités
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PPUB
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EN-FR | 2017-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-2:2017 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 2: Mécanismes de détérioration
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PPUB
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EN-FR | 2017-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-3:2020 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 3 : Données
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PPUB
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EN-FR | 2020-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-4:2018 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 4: Stockage
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PPUB
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EN | 2018-06 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-4/FRAGF ED1
Composants électroniques — Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs — Partie 4: Stockage
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MERGED
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FR | Y | |||
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IEC 62435-5:2017 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 5: Dispositifs de puces et plaquettes
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PPUB
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EN-FR | 2017-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-6:2018 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 6: Dispositifs encapsulés ou finis
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PPUB
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EN-FR | 2018-09 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-7:2020 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 7: Dispositifs microélectromécaniques
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PPUB
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EN-FR | 2021-01 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-8:2020 ED1
Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 8 : Dispositifs électroniques passifs
|
PPUB
|
EN-FR | 2020-07 | Y | Webstore | |
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IEC 62435-9 ED1
Composants électroniques – Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs – Partie 9: Cas particuliers
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RFDIS
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DELPUB
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1872 kB |
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IEC 62483:2013 ED1
Exigences de réception environnementale pour la susceptibilité des finis de surface en étain et alliage d'étain à la trichite d'étain sur les dispositifs à semiconducteurs
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PPUB
|
EN-FR | 2013-10 | N | Webstore | |
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IEC 62615:2010 ED1
Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques - Impulsion de ligne de transmission (TLP) - Niveau composant
|
PPUB
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EN-FR | 2010-06 | N | Webstore | |
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IEC 62779-1:2016 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 1: Exigences générales
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PPUB
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EN-FR | 2016-02 | Y | Webstore | |
|
IEC 62779-2:2016 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 2: Caractérisation des performances d'interfaçage
|
PPUB
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EN-FR | 2016-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62779-3:2016 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 3: Type fonctionnel et ses conditions d'utilisation
|
PPUB
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EN-FR | 2016-04 | Y | Webstore | |
|
IEC 62779-4:2020 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 4: Capsule endoscopique
|
PPUB
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EN-FR | 2020-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62830-1:2017 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production d'énergie - Partie 1: Récupération d'énergie piézoélectrique basée sur des vibrations
|
PPUB
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EN-FR | 2017-03 | Y | Webstore | |
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IEC 62830-2:2017 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production d'énergie - Partie 2: Récupération d'énergie thermoélectrique basée sur la puissance thermoélectrique
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PPUB
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EN-FR | 2017-02 | Y | Webstore | |
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IEC 62830-3:2017 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d'énergie - Partie 3: Récupération d'énergie électromagnétique basée sur des vibrations
|
PPUB
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EN-FR | 2017-04 | N | Webstore | |
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IEC 62830-4:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production d'énergie - Partie 4: Méthodes d’essai et d’appréciation pour les dispositifs de récupération d’énergie piézoélectrique souples
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PPUB
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EN-FR | 2019-03 | N | Webstore | |
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IEC 62830-5:2021 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production d'énergie - Partie 5: Méthode d’essai pour la mesure de la puissance générée par des dispositifs thermoélectriques souples
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PPUB
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PPUB
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EN | 2019-08 | N | Webstore | ||
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IEC 62830-7:2021 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d’énergie - Partie 7: Récupération d’énergie triboélectrique en mode de coulissement linéaire
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PPUB
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PRVC
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PPUB
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EN | 2017-05 | N | Webstore | ||
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IEC 62951-2:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs souples et extensibles - Partie 2 : Méthode d’évaluation pour la mobilité des électrons, la pente en régime de sous-seuil et la tension de seuil des dispositifs souples
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PPUB
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PPUB
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EN | 2018-10 | N | Webstore | ||
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IEC 62951-4:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs souples et extensibles - Partie 4: Evaluation de la fatigue pour les couches minces conductrices souples sur les substrats pour dispositifs à semiconducteurs souples
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PPUB
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IEC 62951-5:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs souples et extensibles - Partie 5 : Méthode d’essai pour les caractéristiques thermiques des matériaux souples
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PPUB
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EN-FR | 2019-03 | N | Webstore | |
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IEC 62951-6:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs souples et extensibles - Partie 6: Méthode d’essai pour la résistance de couche des couches conductrices souples
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PPUB
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EN-FR | 2019-05 | N | Webstore | |
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IEC 62951-7:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs souples et extensibles - Partie 7: Méthode d’essai pour caractériser la performance des barrières en couches minces utilisées pour l’encapsulation des semiconducteurs organiques souples
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PPUB
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PCC
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PCC
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IEC 62969-1:2017 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les véhicules automobiles - Partie 1: Exigences générales de l’interface d’alimentation destinée aux capteurs de véhicules automobiles
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PPUB
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EN | 2018-01 | Y | Webstore | |
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IEC 62969-1/FRAGF ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les véhicules automobiles - Partie 1 : Exigences générales de l’interface d’alimentation destinée aux capteurs de véhicules automobiles
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MERGED
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FR | Y | |||
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IEC 62969-2:2018 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les véhicules automobiles - Partie 2: Méthodes d’évaluation du rendement de la transmission d’énergie sans fil par résonance pour les capteurs de véhicules automobiles
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PPUB
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EN-FR | 2018-03 | Y | Webstore | |
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IEC 62969-3:2018 ED1
Dispositifs à semiconducteurs – Interface à semiconducteurs pour les véhicules automobiles – Partie 3 : Récupération de l’énergie piézoélectrique produite par les chocs pour les capteurs de véhicules automobiles
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PPUB
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EN-FR | 2018-05 | Y | Webstore | |
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IEC 62969-4:2018 ED1
Dispositifs à semiconducteurs – Interface à semiconducteurs pour les véhicules automobiles - Partie 4: Méthode d'évaluation de l'interface de données destinée aux capteurs de véhicules automobiles
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PPUB
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EN-FR | 2018-06 | Y | Webstore | |
PPUB
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EN | 2019-02 | N | Webstore | ||
PPUB
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EN | 2019-02 | N | Webstore | ||
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IEC 63068-3:2020 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Critères de reconnaissance non destructifs des défauts au sein d’une plaquette homoépitaxiale de carbure de silicium pour des dispositifs d’alimentation - Partie 3 : Méthode d’essai pour les défauts à l’aide de la photoluminescence
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PPUB
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PPUB
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IEC 63150-1:2019 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes de mesure et d’évaluation des dispositifs de captage d’énergie cinétique dans un environnement de vibrations concret - Partie 1: Vibrations mécaniques arbitraires et aléatoires
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PPUB
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PPUB
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IEC 63244-1 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour le transfert de puissance et la charge sans fil - Partie 1: Exigences et spécifications générales
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PRVC
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IEC 63275-1 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température
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CCDV
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IEC 63275-2 ED1
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque
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CCDV
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CCDV
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IEC 63287-1 ED1
Dispositifs à semiconducteurs – Lignes directrices génériques concernant la qualification des semiconducteurs – Partie 1: Lignes directrices concernant la qualification de la fiabilité de l’intégration à grande échelle (LSI)
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