Normalisation dans le domaine des composants discrets à

semiconducteurs y compris (sans y être limité) les diodes,

transistors, thyristors, capteurs et dispositifs

hyperfréquences. Le sous-comité fournit la base technique pour

développer les termes et définitions, les symboles littéraux,

les valeurs et caractéristiques essentielles, les méthodes de

mesure et les spécifications pour les dispositifs à

semiconducteurs. Ceux-ci comprennent, mais ne sont pas limités

aux diodes, transistors IGBT, thyristors, capteurs à

semiconducteurs avec modulation des flux de porteurs induite

dans le dispositif par les modifications des conditions

extérieures et les dispositifs tels que les FET

hyperfréquences, les MMIC, les diodes et les modules hybrides

fonctionnant à des fréquences supérieures à 0,4 GHz.