International
Electrotechnical
Commission
International Standards and Conformity Assessment
for all electrical, electronic and related technologies
SC 47E |
Dispositifs discrets à semiconducteurs |
Détail
Comité | Groupes de Travail | Chef de Projet | Statut Courant | Frcst Pub Date | Date Stabilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SC 47E | 03 | PPUB | 2013 |
Historique
Stage | Document | Downloads | Date de Décision | Date Cible |
|---|---|---|---|---|
| PNW | 1986-05-01 | |||
| ANW | 1986-09-12 | |||
| ADIS | 1988-04-15 | |||
| CDIS | 1990-02-14 | |||
| APUB | 1991-06-14 | |||
| BPUB | 1992-09-16 | |||
| PPUB | 1993-02-15 | |||
| 1CD | ||||
Projet
IEC 60747-8-2 Ed. 1.0
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section deux: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance
Remarque:
- The publication will be withdrawn on 2013-12-31. - QC 750106. - Transferred from TC 47. - Former 47.8.10.
Document Associés:
47E/430/RR
61 kB