International Standards and Conformity Assessment for all electrical, electronic and related technologies

SC 47E

Dispositifs discrets à semiconducteurs

 
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SC 47E Fichiers Projets (181)

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CLC

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PNW 47E-3-6 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 747-3 - Méthodes de mesure de la durée de rétablissement d'une diode de redressement ou d'une diode de signal dans le sens direct

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E 47E(US)2
PNW 47E-29 Ed. 1.0

Symbole littéral révisé pour les amplificateurs hyperfréquence à circuit intégré - Amendement à la CEI 748-3

DEL
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E 47E/29
PNW 47E-45 Ed. 1.0

CEI 747 - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBTs) - Section 1: Spécification particulière cadre pour les IGBTs pour applications en commutation

DEL
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E 47E/45
PNW 47E-82 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 747-1 - Cycle d'essai de la puissance thermique

DEL
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E 47E/82
PNW 47E-86 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 747-4 - Méthodes de mesure pour les convertisseurs hyperfréquence à circuit intégré

DEL
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E 47E/86
PNW 47E-87 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 747-4 - Terminologie, valeurs limites et caractéristiques essentielles pour les convertisseurs hyperfréquence à circuit intégré

DEL
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E 47E/87
DEL
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E 47E/179
DEL
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E 47E/297
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E 47E/299
DEL
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E 47E/312
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E 47E/328
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E 47E/329
DEL
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E 47E/352
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E 47E/462
DEL
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E 47E/494
DEL
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E 47E/495
DEL
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E 47E/526
PNW
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E 47E/550
PNW
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E 47E/555
IEC 60747-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Deuxième partie: Diodes de redressement

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B
IEC 60747-2 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 2: Diodes de redressement

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B 2000-02
IEC 60747-2 Ed. 3.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 2: Dispositifs discrets - Diodes de redressement

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IEC 60747-2 am3 f2 Ed. 1.0

Diodes de redressement, termes relatifs aux valeurs limites et caractéristiques, à inclure dans la CEI 747-2

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E 47(DE)795
IEC 60747-2 am3 f3 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 747-2 - Valeurs limites et caractéristiques essentielles: Nouveaux paragraphes 7.10 et 7.11

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E 47(DE)798
IEC 60747-2-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Deuxième partie: Diodes de redressement - Section un: Spécification particulière-cadre pour les diodes de redressement (y compris les diodes à avalanche), à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A

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IEC 60747-2-1 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-2-1 (1989)

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IEC 60747-2-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 2: Diodes de redressement - Section 2: Spécification particulière cadre pour les diodes de redressement (y compris les diodes à avalanche), à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants supérieurs à 100 A

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IEC 60747-3 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices

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IEC 60747-3 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 3: Dispositifs discrets: Diodes de signal, diodes de commutation et diodes régulatrices

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IEC 60747-3-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices - Section un: Spécification particulière cadre pour les diodes de signal, les diodes de commutation et les diodes à avalanche contrôlée

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IEC 60747-3-1 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-3-1 (1986)

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IEC 60747-3-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) e t diodes régulatrices - Section deux: Spécification particulière cadre pour les diodes régulatrices de tension et les diodes de tension de référence, à l'exclusion des diodes de référence de précision compensées en température

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IEC 60747-3-2 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-3-2 (1986)

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IEC 60747-4 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences

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IEC 60747-4 Ed. 1.2

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Dispositifs hyperfréquences

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IEC 60747-4 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences

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B 2007-09 no Webstore
IEC 60747-4 f2 Ed. 2.0

Terminologie et symboles littéraux applicables aux prédiviseurs hyperfréquence sur circuit intégré de la CEI 747-4

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E 47E/31
IEC 60747-4 f3 Ed. 2.0

Méthodes de mesure applicables aux prédiviseurs hyperfréquence sur circuit intégré de la CEI 747-4

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E 47E/32
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B
IEC 60747-4 am1 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences

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B 2016-10 no
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E 1999-04
IEC 60747-4 am2 f2 Ed. 1.0

Valeurs limites et caractéristiques essentielles pour les amplificateurs hyperfréquences à circuits intégrés, à inclure dans la CEI 747-4

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E 47E(Sec.)2
IEC 60747-4 am2 f3 Ed. 1.0

Valeurs limites et caractéristiques essentielles supplémentaires pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences à effet de champ dans la CEI 747-4

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B
IEC 60747-4 am2 f4 Ed. 1.0

Méthodes de mesure révisées et supplémentaires pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences - Amendement au Document 47(B.C.)1261

MERGED
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B 47E(Sec.)4
IEC 60747-4 am2 f6 Ed. 1.0

Méthodes de mesure des amplificateurs en hyperfréquences à circuit intégré, à inclure dans la CEI 747-4

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E
IEC 60747-4-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4-1: Diodes et transistors hyperfréquences - Transistors hyperfréquences à effet de champ - Spécification particulière-cadre

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E 1996-12
IEC 60747-4-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4-2: Diodes et transistors hyperfréquences - Amplificateurs hyperfréquences pour circuits intégrés - Spécification particulière-cadre

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E 1998-10
DEL 60747-4-4 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Spécification générique pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences

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E 47(FR)864
DEL 60747-5-1 Ed. 1.0

Spécification particulière cadre pour les optocoupleurs/photocoupleurs (avec transistor de sortie)

DEL
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E
IEC 60747-5-1 Ed. 1.0

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités

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B 1997-08
IEC 60747-5-1 Ed. 1.2

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités

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B 2001-03
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B 2002-04 yes
IEC 60747-5-2 Ed. 1.0

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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B 1997-08
IEC 60747-5-2 Ed. 1.1

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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B 2002-04 yes
IEC 60747-5-3 Ed. 1.0

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure

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B 1997-08
IEC 60747-5-3 Ed. 1.1

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure

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B 2002-04 yes
IEC 60747-5-4 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-4: Dispositifs optoélectroniques - Lasers à semiconducteurs

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IEC 60747-5-5 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-5: Dispositifs optoélectroniques - Photocoupleurs

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E 2017-12 yes 47E/520
IEC 60747-5-5 am1 Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-5: Dispositifs optoélectroniques - Photocoupleurs

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B 2013-05 no Webstore
IEC 60747-5-6 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 5-6: Dispositifs optoélectroniques - Diodes électroluminescentes

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B 2016-03 no Webstore
IEC 60747-5-7 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 5-7: Dispositifs optoélectroniques - Photodiodes et phototransistors

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IEC 60747-6 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Sixième partie: Thyristors

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B
IEC 60747-6 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Thyristors

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B 2000-09
IEC 60747-6 Ed. 3.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Dispositifs discrets - Thyristors

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B 2016-04 no Webstore
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B
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B
IEC 60747-6 am3 f1 Ed. 1.0

Révision de l'article 2, Mesures thermiques de la CEI 747-6, Chapitre IV

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B
IEC 60747-6 am3 f2 Ed. 1.0

Addition au Document 47(Sec.)1150: Révision de l'article 2, Mesures thermiques de la CEI 747-6, Chapitre IV

DEL
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E
IEC 60747-6 am3 f4 Ed. 1.0

Méthode des caractéristiques de blocage des thyristors blocables par la gâchette (GTO)

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B
IEC 60747-6-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors - Section un: Spécification particulière-cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A

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IEC 60747-6-1 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-6-1 (1989)

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IEC 60747-6-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors - Section deux: Spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bidirectionnels (triacs) à température ambiante ou à température de boîtier spécifiée, jusqu'à 100 A

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IEC 60747-6-2 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-6-2 (1991)

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B
IEC 60747-6-3 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 6: Thyristors - Section trois: Spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à température ambiante et de boîtier spécifiée, pour courants supérieurs à 100 A

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IEC 60747-7 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Septième partie: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7 Ed. 2.0

Dispositifs discrets et circuits intégrés à semiconducteurs - Partie 7: Transistors bipolaires

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B 2000-07
IEC 60747-7 Ed. 3.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7 am3 f1 Ed. 1.0

Nouveaux concepts et symboles littéraux pour transistors bipolaires à grille isolée et transistors bipolaires (réels), adaptation des normes existantes

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B
IEC 60747-7 am3 f4 Ed. 1.0

Amendement au domaine d'application de la CEI 747-7

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E 47(DE)796
IEC 60747-7 am3 f6 Ed. 1.0

Supplément à la CEI 747-7 - Méthodes de mesure en impulsions du courant de coupure collecteur-base et émetteur-base

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E 47E(Sec.)5
IEC 60747-7 am3 f7 Ed. 1.0

Complément au chapitre IV de la CEI 747-7 - Méthode de mesure du facteur de bruit et du gain en puissance des transistors bipolaires

DEL
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E
IEC 60747-7 am3 f8 Ed. 1.0

Complément au chapitre IV de la CEI 747-7 - Méthode de mesure du gain en puissance de la sortie RF des transistors bipolaires de puissance

DEL
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E
IEC 60747-7 am3 f9 Ed. 1.0

Complément au chapitre IV de la CEI 747-7 - Méthode de mesure du gain en puissance des mélangeurs d'un transistor bipolaire

DEL
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E
IEC 60747-7-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section un: Spécification particulière-cadre pour les transistors bipolaires à température ambiante spécifiée pour amplification en basse et haute fréquences

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  • Publication withdrawn
B
IEC 60747-7-1 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-7-1 (1989)

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B
IEC 60747-7-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section deux: Spécification particulière-cadre pour les transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en basse fréquence

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  • Publication withdrawn
B
IEC 60747-7-2 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-7-2 (1989)

DEL
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B
IEC 60747-7-3 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section trois: Spécification particulière cadre pour les transistors bipolaires de commutation

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B
IEC 60747-7-3 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-7-3 (1991)

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B
IEC 60747-7-4 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section quatre: Spécification particulière cadre pour les transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en haute fréquence

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  • Publication withdrawn
B
IEC 60747-7-4 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-7-4 (1991)

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E 2005-08 no
IEC 60747-8 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Huitième partie: Transistors à effet de champ

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  • Deleted Publication
B
IEC 60747-8 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ

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  • Deleted Publication
B 2000-07
IEC 60747-8 Ed. 3.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ

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B 2010-12 no Webstore
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  • Deleted Publication
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IEC 60747-8 am3 f2 Ed. 1.0

Valeurs limites et caractéristiques supplémentaires et amendements aux méthodes de mesure pour les transistors à effet de champ de puissance pour commutation, à inclure dans la CEI 747-8

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B 47(Sec.)1285
IEC 60747-8 am3 f3 Ed. 1.0

Concepts supplémentaires pour les transistors à effet de champ dans la CEI 747-8

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E 47(Sec.)1312
IEC 60747-8 am3 f4 Ed. 1.0

Terminologie - Concepts nouveaux et révisés pour les transistors à effet de champ dans les CEI 747-1 et 747-8

MERGED
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B
IEC 60747-8 am3 f5 Ed. 1.0

Transfert des termes et symboles littéraux applicables aux transistors à effet de champ contenus dans la CEI 747-7, paragraphes 6.4.2.2, 6.4.2.3 dans la CEI 747-8, paragraphe 4.3.5

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E 47(U.K.)1114
IEC 60747-8-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ - Section Un: Spécification particulière cadre des transistors à effet de champ par grille unique jusqu'à 5 W et 1 GHz

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IEC 60747-8-1 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-8-1 (1987)

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B
IEC 60747-8-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section deux: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance

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  • Publication withdrawn
B
IEC 60747-8-3 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section 3: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ, à température de boîtier spécifiée, pour applications en commutation

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  • Publication withdrawn
B 1994-08 47(C.O.)1350
IEC 60747-8-4 Ed. 1.0

Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 8-4: Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance

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  • Publication withdrawn
B 2004-09 no
IEC 60747-9 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

DELPUB
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  • Deleted Publication
B 1998-08
IEC 60747-9 Ed. 1.1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

DELPUB
  • DELPUB
  • Deleted Publication
B
IEC 60747-9 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

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  • Publication issued
B 2007-10 no Webstore
1CD
  • 1CD
  • 1st Committee Draft
E 2018-12 no
IEC 60747-9 f2 Ed. 1.0

Dispositifs discrets - Terminologie - Concepts relatifs aux transisotrs bipolaires à grille isolée

MERGED
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  • Merged project
B 47(C.O.)1339
DELPUB
  • DELPUB
  • Deleted Publication
B 2001-09 no
IEC 60747-9 am2 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 60747-9 - IGBTs

DEL
  • DEL
  • Deleted items
E 47E/100
IEC 60747-10 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dixième partie: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés

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DELPUB
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B
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B 1995-12
IEC 60747-11 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Onzième partie: Spécification intermédiaire pour les dispositifs discrets

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  • Publication withdrawn
B
IEC 60747-11 Ed. 2.0

Examen systématique de la CEI 747-11 (1985)

DEL
  • DEL
  • Deleted items
B
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B
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B 1996-06
IEC 60747-11 am2 f2 Ed. 1.0

Introduction de normes d'examen visuel pour les dispositifs discrets à semiconducteurs dans la CEI 747-11

DEL
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E
IEC 60747-11 am2 f3 Ed. 1.0

Amendement à la CEI 747-11 pour inclure une procédure d'homologation des petits lots

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B
IEC 60747-14 f2 Ed. 1.0

Valeurs limites et caractéristiques essentielles pour les éléments de capteurs de pression à semiconducteurs

MERGED
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E
IEC 60747-14 f3 Ed. 1.0

Terminologie - Concepts et symboles littéraux pour les capteurs de pression à semiconducteurs

MERGED
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E 47(Sec.)1253
IEC 60747-14 f4 Ed. 1.0

Règles générales et méthodes de mesure des sondes à effet Hall de petit calibre

MERGED
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E
IEC 60747-14 f5 Ed. 1.0

Capteurs de température à semiconducteurs, concepts et symboles littéraux

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E 47(DE)797
DELPUB
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E 2000-10
IEC 60747-14-1 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-1: Capteurs à semiconducteurs - Spécification générique pour les capteurs

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B 2010-01 no Webstore
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IEC 60747-14-3 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-3: Capteurs à semiconducteurs - Capteurs de pression

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E 2001-07 no
IEC 60747-14-3 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-3: Capteurs à semiconducteurs - Capteurs de pression

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B 2009-04 no Webstore
IEC 60747-14-4 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 14-4: Accéléromètres à semiconducteurs

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B 2011-02 no Webstore
IEC 60747-14-5 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-5: Capteurs à semiconducteurs - Capteur de température à semiconducteurs à jonction PN

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B 2010-02 no Webstore
3CD
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E 2017-04
3CD
  • 3CD
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E 2017-04
3CD
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E 2017-04
ANW
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E 2018-12 47E/542
IEC 60747-15 Ed. 1.0

Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés

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B 2003-06 no
IEC 60747-15 Ed. 2.0

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés

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B 2011-01 yes Webstore
IEC 60747-15 fF Ed. 1.0

Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés

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F 2013-02
IEC 60747-16-1 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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IEC 60747-16-1 fF Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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F 2012-05
IEC 60747-16-1 am1 Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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B 2006-08 yes Webstore
IEC 60747-16-1 am1 fF Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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F 2012-03
IEC 60747-16-1 am2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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IEC 60747-16-2 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-2: Circuits intégrés hyperfréquences - Diviseurs préalables de fréquence

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E Webstore
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E 2007-11 no Webstore
IEC 60747-16-3 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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IEC 60747-16-3 Ed. 1.1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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IEC 60747-16-3 fF Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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F 2010-04
IEC 60747-16-3 am1 Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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B 2009-03 yes Webstore
IEC 60747-16-3 am1 fF Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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F 2010-04
CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as Committee Draft with Vote
E 2017-09 yes
IEC 60747-16-4 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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IEC 60747-16-4 Ed. 1.1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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B Webstore
IEC 60747-16-4 fF Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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F 2011-06
IEC 60747-16-4 fF Ed. 1.1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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B
IEC 60747-16-4 am1 Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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B 2009-03 yes Webstore
IEC 60747-16-4 am1 fF Ed. 1.0

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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F 2011-06
CCDV
  • CCDV
  • Draft circulated as Committee Draft with Vote
E 2017-09 yes
IEC 60747-16-5 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-5: Circuits intégrés hyperfréquences - Oscillateurs

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B 2013-06 yes Webstore
ANW
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E 2018-06 47E/510
IEC 60747-16-10 Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-10: Format-cadre pour agrément de technologie (TAS) pour circuits intégrés monolithiques hyperfréquences

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B yes Webstore
IEC 60747-16-10 fF Ed. 1.0

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-10: Format-cadre pour agrément de technologie (TAS) pour circuits intégrés monolithiques hyperfréquences

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F 2012-09
CDM
  • CDM
  • Committee Draft to be discussed at Meeting
E 2017-06
DEL
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E 47E/413
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  • Publication issued
E 2011-10 Webstore
1CD
  • 1CD
  • 1st Committee Draft
E 2018-12