International Standards and Conformity Assessment for all electrical, electronic and related technologies

SC 47E

Dispositifs discrets à semiconducteurs

 
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SC 47E Fichiers Projets (181)

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IEC 60747-2:2016 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 2: Dispositifs discrets - Diodes de redressement

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IEC 60747-2:2000 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 2: Diodes de redressement

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IEC 60747-2:1983 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Deuxième partie: Diodes de redressement

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IEC 60747-2:1983/AMD1:1992 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Deuxième partie: Diodes de redressement

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IEC 60747-2:1983/AMD2:1993 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Deuxième partie: Diodes de redressement

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IEC 60747-2-1 ED2

Examen systématique de la CEI 747-2-1 (1989)

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IEC 60747-2-1:1989 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Deuxième partie: Diodes de redressement - Section un: Spécification particulière-cadre pour les diodes de redressement (y compris les diodes à avalanche), à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A

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IEC 60747-2-2:1993 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 2: Diodes de redressement - Section 2: Spécification particulière cadre pour les diodes de redressement (y compris les diodes à avalanche), à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants supérieurs à 100 A

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IEC 60747-3:2013 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 3: Dispositifs discrets: Diodes de signal, diodes de commutation et diodes régulatrices

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IEC 60747-3:1985 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices

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IEC 60747-3:1985/AMD1:1991 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices

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IEC 60747-3:1985/AMD2:1993 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices

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IEC 60747-3-1 ED2

Examen systématique de la CEI 747-3-1 (1986)

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IEC 60747-3-1:1986 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices - Section un: Spécification particulière cadre pour les diodes de signal, les diodes de commutation et les diodes à avalanche contrôlée

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IEC 60747-3-2 ED2

Examen systématique de la CEI 747-3-2 (1986)

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IEC 60747-3-2:1986 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) e t diodes régulatrices - Section deux: Spécification particulière cadre pour les diodes régulatrices de tension et les diodes de tension de référence, à l'exclusion des diodes de référence ..

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IEC 60747-4:2007 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences

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IEC 60747-4:2007/AMD1 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences

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IEC 60747-4:2001+AMD1:1993+AMD2:1999 CSV ED1.2

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Dispositifs hyperfréquences

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IEC 60747-4:1991 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences

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IEC 60747-4:1991/AMD1:1993 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences

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IEC 60747-4:1991/AMD2:1999/FRAG3 ED1

Valeurs limites et caractéristiques essentielles supplémentaires pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences à effet de champ dans la CEI 747-4

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IEC 60747-4:1991/AMD2:1999/FRAG4 ED1

Méthodes de mesure révisées et supplémentaires pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences - Amendement au Document 47(B.C.)1261

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IEC 60747-5-1:2002+AMD1:2001+AMD2:2002 CSV ED1.2

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités

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IEC 60747-5-1:1997 ED1

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités

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EN-FR 1997-08 U 47C/173/FDIS
IEC 60747-5-1:1997/AMD1:2001 ED1

Amendement 1 - Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités

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IEC 60747-5-1:1997/AMD2:2002 ED1

Amendement 2 - Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités

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IEC 60747-5-2:2009+AMD1:2002 CSV ED1.1

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60747-5-2:1997 ED1

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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EN-FR 1997-08 U 47C/173/FDIS
IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60747-5-3:2009+AMD1:2002 CSV ED1.1

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure

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IEC 60747-5-3:1997 ED1

Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure

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IEC 60747-5-3:1997/AMD1:2002 ED1

Amendement 1 - Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure

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IEC 60747-5-4:2006 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-4: Dispositifs optoélectroniques - Lasers à semiconducteurs

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EN 2017-12 Y 47E/559/CD PDF file 804 kB
IEC 60747-5-5:2007 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-5: Dispositifs optoélectroniques - Photocoupleurs

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IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-5: Dispositifs optoélectroniques - Photocoupleurs

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IEC 60747-5-6:2016 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 5-6: Dispositifs optoélectroniques - Diodes électroluminescentes

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IEC 60747-5-7:2016 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 5-7: Dispositifs optoélectroniques - Photodiodes et phototransistors

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IEC 60747-6:2016 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Dispositifs discrets - Thyristors

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IEC 60747-6:2000 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Thyristors

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IEC 60747-6:1983 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors

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IEC 60747-6:1983/AMD1:1991 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors

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IEC 60747-6:1983/AMD2:1994 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors

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IEC 60747-6:1983/AMD3/FRAG1 ED1

Révision de l'article 2, Mesures thermiques de la CEI 747-6, Chapitre IV

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EN-FR U 47(SEC.)/1322/CDV
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IEC 60747-6:1983/AMD3/FRAG4 ED1

Méthode des caractéristiques de blocage des thyristors blocables par la gâchette (GTO)

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IEC 60747-6-1 ED2

Examen systématique de la CEI 747-6-1 (1989)

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IEC 60747-6-1:1989 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors - Section un: Spécification particulière-cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A

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IEC 60747-6-2 ED2

Examen systématique de la CEI 747-6-2 (1991)

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IEC 60747-6-2:1991 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie: Thyristors - Section deux: Spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bidirectionnels (triacs) à température ambiante ou à température de boîtier spécifiée, jusqu'à 100 A

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IEC 60747-6-3:1993 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 6: Thyristors - Section trois: Spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à température ambiante et de boîtier spécifiée, pour courants supérieurs à 100 A

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IEC 60747-7:2010 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7:2000 ED2

Dispositifs discrets et circuits intégrés à semiconducteurs - Partie 7: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7:1988 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7:1988/AMD1:1991 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7:1988/AMD2:1994 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires

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IEC 60747-7:1988/AMD3/FRAG1 ED1

Nouveaux concepts et symboles littéraux pour transistors bipolaires à grille isolée et transistors bipolaires (réels), adaptation des normes existantes

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IEC 60747-7-1 ED2

Examen systématique de la CEI 747-7-1 (1989)

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IEC 60747-7-1:1989 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section un: Spécification particulière-cadre pour les transistors bipolaires à température ambiante spécifiée pour amplification en basse et haute fréquences

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IEC 60747-7-2 ED2

Examen systématique de la CEI 747-7-2 (1989)

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IEC 60747-7-2:1989 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section deux: Spécification particulière-cadre pour les transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en basse fréquence

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IEC 60747-7-3 ED2

Examen systématique de la CEI 747-7-3 (1991)

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IEC 60747-7-3:1991 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section trois: Spécification particulière cadre pour les transistors bipolaires de commutation

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IEC 60747-7-4 ED2

Examen systématique de la CEI 747-7-4 (1991)

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IEC 60747-7-4:1991 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Septième partie: Transistors bipolaires - Section quatre: Spécification particulière cadre pour les transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en haute fréquence

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IEC 60747-8:2010 ED3

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ

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IEC 60747-8:2000 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ

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IEC 60747-8:1984 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

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IEC 60747-8:1984/AMD1:1991 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

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IEC 60747-8:1984/AMD2:1993 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ

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IEC 60747-8:1984/AMD3/FRAG2 ED1

Valeurs limites et caractéristiques supplémentaires et amendements aux méthodes de mesure pour les transistors à effet de champ de puissance pour commutation, à inclure dans la CEI 747-8

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EN-FR U 47(SEC.)/1285/CD
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IEC 60747-8:1984/AMD3/FRAG4 ED1

Terminologie - Concepts nouveaux et révisés pour les transistors à effet de champ dans les CEI 747-1 et 747-8

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EN U 47(U.K.)/1114/NP
IEC 60747-8-1 ED2

Examen systématique de la CEI 747-8-1 (1987)

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IEC 60747-8-1:1987 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Huitième partie: Transistors à effet de champ - Section Un: Spécification particulière cadre des transistors à effet de champ par grille unique jusqu'à 5 W et 1 GHz

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IEC 60747-8-2:1993 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section deux: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance

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IEC 60747-8-3:1995 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section 3: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ, à température de boîtier spécifiée, pour applications en commutation

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IEC 60747-8-4:2004 ED1

Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 8-4: Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance

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IEC 60747-9:2007 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

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IEC 60747-9:2001+AMD1:2001 CSV ED1.1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

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IEC 60747-9:1998 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

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EN-FR 1998-08 U 47(SEC.)/1282/CD
IEC 60747-9:1998/FRAG2 ED1

Dispositifs discrets - Terminologie - Concepts relatifs aux transisotrs bipolaires à grille isolée

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IEC 60747-9:1998/AMD1:2001 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)

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IEC 60747-10:1991 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Dixième partie: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés

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IEC 60747-10:1991/AMD1:1995 ED2

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 10: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés

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IEC 60747-10:1991/AMD2:1996 ED2

Amendement n° 2 à la CEI 747-10.

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IEC 60747-10:1991/AMD3:1996 ED2

Amendement 3 - Dispositifs à semiconducteurs - Dixième partie: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés

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IEC 60747-11 ED2

Examen systématique de la CEI 747-11 (1985)

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IEC 60747-11:1985 ED1

Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Onzième partie: Spécification intermédiaire pour les dispositifs discrets

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IEC 60747-11:1985/AMD1:1991 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Onzième partie: Spécification intermédiaire pour les dispositifs discrets

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IEC 60747-11:1985/AMD2:1996 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Onzième partie: Spécification intermédiaire pour les dispositifs discrets

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IEC 60747-11:1985/AMD2:1996/FRAG3 ED1

Amendement à la CEI 747-11 pour inclure une procédure d'homologation des petits lots

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IEC 60747-14-1:2010 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-1: Capteurs à semiconducteurs - Spécification générique pour les capteurs

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IEC 60747-14-3:2009 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-3: Capteurs à semiconducteurs - Capteurs de pression

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IEC 60747-14-4:2011 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 14-4: Accéléromètres à semiconducteurs

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IEC 60747-14-5:2010 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-5: Capteurs à semiconducteurs - Capteur de température à semiconducteurs à jonction PN

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Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés

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Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés

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Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-5: Circuits intégrés hyperfréquences - Oscillateurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-10: Format-cadre pour agrément de technologie (TAS) pour circuits intégrés monolithiques hyperfréquences

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Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-10: Format-cadre pour agrément de technologie (TAS) pour circuits intégrés monolithiques hyperfréquences

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