International
Electrotechnical
Commission
International Standards and Conformity Assessment
for all electrical, electronic and related technologies
SC 47E |
Dispositifs discrets à semiconducteurs |
SC 47E Fichiers Projets
 Référence Projet |  Stage Courant | Language | Frcst Date | CLC | Référence Document | Downloads |
|---|---|---|---|---|---|---|
PNW 47E-3-6 Ed. 1.0Amendement à la CEI 747-3 - Méthodes de mesure de la durée de rétablissement d'une diode de redressement ou d'une diode de signal dans le sens direct | DEL
| E | 47E(US)2 | |||
PNW 47E-29 Ed. 1.0Symbole littéral révisé pour les amplificateurs hyperfréquence à circuit intégré - Amendement à la CEI 748-3 | DEL
| E | 47E/29 | |||
PNW 47E-45 Ed. 1.0CEI 747 - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée
(IGBTs) - Section 1: Spécification particulière cadre pour les
IGBTs pour applications en commutation
| DEL
| E | 47E/45 | |||
PNW 47E-82 Ed. 1.0Amendement à la CEI 747-1 - Cycle d'essai de la puissance
thermique | DEL
| E | 47E/82 | |||
PNW 47E-86 Ed. 1.0Amendement à la CEI 747-4 - Méthodes de mesure pour les
convertisseurs hyperfréquence à circuit intégré | DEL
| E | 47E/86 | |||
PNW 47E-87 Ed. 1.0Amendement à la CEI 747-4 - Terminologie, valeurs limites et
caractéristiques essentielles pour les convertisseurs
hyperfréquence à circuit intégré | DEL
| E | 47E/87 | |||
DEL
| E | 47E/179 | ||||
DEL
| E | 47E/297 | ||||
DEL
| E | 47E/299 | ||||
DEL
| E | 47E/312 | ||||
DEL
| E | 47E/328 | ||||
DEL
| E | 47E/329 | ||||
DEL
| E | 47E/352 | ||||
IEC 60747-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Deuxième
partie: Diodes de redressement
| DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-2 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 2: Diodes de redressement | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-2 Ed. 3.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 2 : Diodes de redressement | AMW
| B | 2014-09 | no | 47E/438 | |
IEC 60747-2 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-2 am2 Ed. 1.0Amendement n° 2 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-2 am3 f2 Ed. 1.0Diodes de redressement, termes relatifs aux valeurs limites et
caractéristiques, à inclure dans la CEI 747-2
| MERGED
| E | 47(DE)795 | |||
IEC 60747-2 am3 f3 Ed. 1.0Amendement à la CEI 747-2 - Valeurs limites et caractéristiques
essentielles: Nouveaux paragraphes 7.10 et 7.11
| MERGED
| E | 47(DE)798 | |||
IEC 60747-2-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Deuxième
partie: Diodes de redressement - Section un: Spécification
particulière-cadre pour les diodes de redressement (y compris
les diodes à avalanche), à températures ambiante et de boîtier
spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-2-1 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-2-1 (1989)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-2-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 2: Diodes de redressement - Section 2: Spécification particulière cadre pour les diodes de redressement (y compris les diodes à avalanche), à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants supérieurs à 100 A | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-3 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Troisième
partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation)
et diodes régulatrices
| PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-3 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 3: Dispositifs discrets: Diodes de signal, diodes de commutation et diodes régulatrices | BPUB
| B | 2013-07 | no | ||
IEC 60747-3 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-3 am2 Ed. 1.0Amendement n° 2 | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-3-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Troisième
partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation)
et diodes régulatrices - Section un: Spécification particulière
cadre pour les diodes de signal, les diodes de commutation et
les diodes à avalanche contrôlée
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-3-1 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-3-1 (1986)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-3-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Troisième
partie: Diodes de signal (y compris les diodes de commutation) e
t diodes régulatrices - Section deux: Spécification particulière
cadre pour les diodes régulatrices de tension et les diodes de
tension de référence, à l'exclusion des diodes de référence de
précision compensées en température
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-3-2 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-3-2 (1986)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-4 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Quatrième partie: Diodes et transistors hyperfréquences | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-4 Ed. 1.2Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Dispositifs hyperfréquences | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-4 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences | PPUB
| B | 2007-09 | no | Webstore | |
IEC 60747-4 f2 Ed. 2.0Terminologie et symboles littéraux applicables aux prédiviseurs
hyperfréquence sur circuit intégré de la CEI 747-4
| MERGED
| E | 47E/31 | |||
IEC 60747-4 f3 Ed. 2.0Méthodes de mesure applicables aux prédiviseurs hyperfréquence
sur circuit intégré de la CEI 747-4
| MERGED
| E | 47E/32 | |||
IEC 60747-4 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-4 am2 Ed. 1.0Amendement 2 | DELPUB
| E | 1999-04 | |||
IEC 60747-4 am2 f2 Ed. 1.0Valeurs limites et caractéristiques essentielles pour les amplificateurs hyperfréquences à circuits intégrés, à inclure dans la CEI 747-4 | MERGED
| E | 47E(Sec.)2 | |||
IEC 60747-4 am2 f3 Ed. 1.0Valeurs limites et caractéristiques essentielles supplémentaires pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences à effet de champ dans la CEI 747-4 | MERGED
| B | ||||
IEC 60747-4 am2 f4 Ed. 1.0Méthodes de mesure révisées et supplémentaires pour les transistors à effet de champ en hyperfréquences - Amendement au Document 47(B.C.)1261 | MERGED
| B | 47E(Sec.)4 | |||
IEC 60747-4 am2 f6 Ed. 1.0Méthodes de mesure des amplificateurs en hyperfréquences à circuit intégré, à inclure dans la CEI 747-4 | MERGED
| E | ||||
IEC 60747-4-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4-1: Diodes et transistors hyperfréquences - Transistors hyperfréquences à effet de champ - Spécification particulière-cadre | WPUB
| E | 1996-12 | |||
IEC 60747-4-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 4-2: Diodes et transistors hyperfréquences - Amplificateurs hyperfréquences pour circuits intégrés - Spécification particulière-cadre | WPUB
| E | 1998-10 | |||
DEL 60747-4-4 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Spécification générique pour les
transistors à effet de champ en hyperfréquences
| DEL
| E | 47(FR)864 | |||
DEL 60747-5-1 Ed. 1.0Spécification particulière cadre pour les
optocoupleurs/photocoupleurs (avec transistor de sortie)
| DEL
| E | ||||
IEC 60747-5-1 Ed. 1.0Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités
| PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-1 Ed. 1.2Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-1: Dispositifs optoélectroniques - Généralités | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-1 am1 Ed. 1.0Amendement 1
| PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-1 am2 Ed. 1.0Amendement 2 | PPUB
| B | yes | Webstore | ||
IEC 60747-5-2 Ed. 1.0Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-2 Ed. 1.1Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-2: Dispositifs optoélectroniques - Valeurs limites et caractéristiques essentielles | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-2 am1 Ed. 1.0Amendement 1 | PPUB
| B | yes | Webstore | ||
IEC 60747-5-3 Ed. 1.0Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-3 Ed. 1.1Dispositifs discrets à semiconducteurs et circuits intégrés - Partie 5-3: Dispositifs optoélectroniques - Méthodes de mesure | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-5-3 am1 Ed. 1.0Amendement 1 | PPUB
| B | yes | Webstore | ||
IEC 60747-5-4 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-4: Dispositifs optoélectroniques - Lasers à semiconducteurs | PPUB
| B | no | Webstore | ||
IEC 60747-5-5 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-5: Dispositifs optoélectroniques - Photocoupleurs
| PPUB
| B | 2007-10 | no | Webstore | |
IEC 60747-5-5 am1 Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 5-5: Dispositifs optoélectroniques - Photocoupleurs | PPUB
| B | 2013-05 | no | Webstore | |
ACDV
| E | 2015-04 | no | |||
ACDV
| E | 2015-04 | no | |||
IEC 60747-6 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Sixième
partie: Thyristors
| DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-6 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 6: Thyristors
| PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-6 Ed. 3.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 6 : Thyristors | A2CD
| E | 2014-03 | no | ||
IEC 60747-6 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-6 am2 Ed. 1.0Amendement n° 2 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-6 am3 f1 Ed. 1.0Révision de l'article 2, Mesures thermiques de la CEI 747-6, Chapitre IV | MERGED
| B | ||||
IEC 60747-6 am3 f2 Ed. 1.0Addition au Document 47(Sec.)1150: Révision de l'article 2,
Mesures thermiques de la CEI 747-6, Chapitre IV
| DEL
| E | ||||
IEC 60747-6 am3 f4 Ed. 1.0Méthode des caractéristiques de blocage des thyristors blocables par la gâchette (GTO) | MERGED
| B | ||||
IEC 60747-6-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Sixième
partie: Thyristors - Section un: Spécification
particulière-cadre pour les thyristors triodes bloqués en
inverse, à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour
courants jusqu'à 100 A
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-6-1 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-6-1 (1989)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-6-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Sixième
partie: Thyristors - Section deux: Spécification particulière
cadre pour les thyristors triodes bidirectionnels (triacs) à
température ambiante ou à température de boîtier spécifiée,
jusqu'à 100 A
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-6-2 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-6-2 (1991)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-6-3 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 6: Thyristors - Section trois: Spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à température ambiante et de boîtier spécifiée, pour courants supérieurs à 100 A | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-7 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Septième
partie: Transistors bipolaires
| DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-7 Ed. 2.0Dispositifs discrets et circuits intégrés à semiconducteurs - Partie 7: Transistors bipolaires
| DELPUB
| B | 2000-07 | |||
IEC 60747-7 Ed. 3.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
| PPUB
| B | 2011-01 | no | Webstore | |
IEC 60747-7 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-7 am2 Ed. 1.0Amendement n° 2 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-7 am3 f1 Ed. 1.0Nouveaux concepts et symboles littéraux pour transistors bipolaires à grille isolée et transistors bipolaires (réels), adaptation des normes existantes | MERGED
| B | ||||
IEC 60747-7 am3 f4 Ed. 1.0Amendement au domaine d'application de la CEI 747-7 | MERGED
| E | 47(DE)796 | |||
IEC 60747-7 am3 f6 Ed. 1.0Supplément à la CEI 747-7 - Méthodes de mesure en impulsions du courant de coupure collecteur-base et émetteur-base | MERGED
| E | 47E(Sec.)5 | |||
IEC 60747-7 am3 f7 Ed. 1.0Complément au chapitre IV de la CEI 747-7 - Méthode de mesure du
facteur de bruit et du gain en puissance des transistors
bipolaires
| DEL
| E | ||||
IEC 60747-7 am3 f8 Ed. 1.0Complément au chapitre IV de la CEI 747-7 - Méthode de mesure du
gain en puissance de la sortie RF des transistors bipolaires de
puissance
| DEL
| E | ||||
IEC 60747-7 am3 f9 Ed. 1.0Complément au chapitre IV de la CEI 747-7 - Méthode de mesure du
gain en puissance des mélangeurs d'un transistor bipolaire
| DEL
| E | ||||
IEC 60747-7-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième
partie: Transistors bipolaires - Section un: Spécification
particulière-cadre pour les transistors bipolaires à température
ambiante spécifiée pour amplification en basse et haute
fréquences
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-7-1 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-7-1 (1989)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-7-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième
partie: Transistors bipolaires - Section deux: Spécification
particulière-cadre pour les transistors bipolaires à température
de boîtier spécifiée pour amplification en basse fréquence
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-7-2 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-7-2 (1989)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-7-3 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième
partie: Transistors bipolaires - Section trois: Spécification
particulière cadre pour les transistors bipolaires de commutation
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-7-3 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-7-3 (1991)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-7-4 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Septième
partie: Transistors bipolaires - Section quatre: Spécification
particulière cadre pour les transistors bipolaires à température
de boîtier spécifiée pour amplification en haute fréquence
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-7-4 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-7-4 (1991)
| DEL
| B | ||||
DELPUB
| E | 2005-08 | no | |||
IEC 60747-8 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Huitième
partie: Transistors à effet de champ
| DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-8 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 8: Transistors à effet de champ | DELPUB
| B | 2000-07 | |||
IEC 60747-8 Ed. 3.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs descrets - Partie 8: Transistors à effet de champ
| PPUB
| B | 2010-12 | no | Webstore | |
IEC 60747-8 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-8 am2 Ed. 1.0Amendement n° 2 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-8 am3 f2 Ed. 1.0Valeurs limites et caractéristiques supplémentaires et amendements aux méthodes de mesure pour les transistors à effet de champ de puissance pour commutation, à inclure dans la CEI 747-8 | MERGED
| B | 47(Sec.)1285 | |||
IEC 60747-8 am3 f3 Ed. 1.0Concepts supplémentaires pour les transistors à effet de champ dans la CEI 747-8 | MERGED
| E | 47(Sec.)1312 | |||
IEC 60747-8 am3 f4 Ed. 1.0Terminologie - Concepts nouveaux et révisés pour les transistors à effet de champ dans les CEI 747-1 et 747-8 | MERGED
| B | ||||
IEC 60747-8 am3 f5 Ed. 1.0Transfert des termes et symboles littéraux applicables aux transistors à effet de champ contenus dans la CEI 747-7, paragraphes 6.4.2.2, 6.4.2.3 dans la CEI 747-8, paragraphe 4.3.5 | MERGED
| E | 47(U.K.)1114 | |||
IEC 60747-8-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets - Huitième
partie: Transistors à effet de champ - Section Un: Spécification
particulière cadre des transistors à effet de champ par grille
unique jusqu'à 5 W et 1 GHz
| WPUB
| B | ||||
IEC 60747-8-1 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-8-1 (1987)
| DEL
| B | ||||
IEC 60747-8-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section deux: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ à température de boîtier spécifiée pour applications en amplificateurs de puissance | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-8-3 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 8: Transistors à effet de champ - Section 3: Spécification particulière cadre pour les transistors à effet de champ, à température de boîtier spécifiée, pour applications en commutation | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-8-4 Ed. 1.0Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 8-4: Transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET) pour les applications de commutation de puissance | PPUB
| B | no | Webstore | ||
IEC 60747-9 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) | DELPUB
| B | 1998-08 | |||
IEC 60747-9 Ed. 1.1Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-9 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 9: Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) | PPUB
| B | 2007-10 | no | Webstore | |
IEC 60747-9 f2 Ed. 1.0Dispositifs discrets - Terminologie - Concepts relatifs aux transisotrs bipolaires à grille isolée | MERGED
| B | 47(C.O.)1339 | |||
IEC 60747-9 am1 Ed. 1.0Amendement 1 | DELPUB
| B | 2001-09 | no | ||
IEC 60747-9 am2 Ed. 1.0Amendement à la CEI 60747-9 - IGBTs | DEL
| E | 47E/100 | |||
IEC 60747-10 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Dixième partie: Spécification générique pour les dispositifs discrets et les circuits intégrés | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-10 am1 Ed. 2.0Amendement n° 1 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-10 am2 Ed. 2.0Amendement n° 2 | DELPUB
| B | ||||
IEC 60747-10 am3 Ed. 2.0Amendement n° 3 | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-11 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs. Dispositifs discrets. Onzième
partie: Spécification intermédiaire pour les dispositifs discrets
| PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-11 Ed. 2.0Examen systématique de la CEI 747-11 (1985) | DEL
| B | ||||
IEC 60747-11 am1 Ed. 1.0Amendement n° 1 | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-11 am2 Ed. 1.0Amendement n° 2 | PPUB
| B | Webstore | |||
IEC 60747-11 am2 f2 Ed. 1.0Introduction de normes d'examen visuel pour les dispositifs
discrets à semiconducteurs dans la CEI 747-11
| DEL
| E | ||||
IEC 60747-11 am2 f3 Ed. 1.0Amendement à la CEI 747-11 pour inclure une procédure d'homologation des petits lots | MERGED
| B | ||||
IEC 60747-14 f2 Ed. 1.0Valeurs limites et caractéristiques essentielles pour les éléments de capteurs de pression à semiconducteurs | MERGED
| E | ||||
IEC 60747-14 f3 Ed. 1.0Terminologie - Concepts et symboles littéraux pour les capteurs de pression à semiconducteurs | MERGED
| E | 47(Sec.)1253 | |||
IEC 60747-14 f4 Ed. 1.0Règles générales et méthodes de mesure des sondes à effet Hall de petit calibre | MERGED
| E | ||||
IEC 60747-14 f5 Ed. 1.0Capteurs de température à semiconducteurs, concepts et symboles littéraux | MERGED
| E | 47(DE)797 | |||
DELPUB
| E | 2000-10 | ||||
IEC 60747-14-1 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-1: Capteurs à semiconducteurs - Spécification générique pour les capteurs
| PPUB
| B | 2010-01 | no | Webstore | |
PPUB
| E | Webstore | ||||
IEC 60747-14-3 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-3: Capteurs à semiconducteurs - Capteurs de pression | DELPUB
| E | 2001-07 | no | ||
IEC 60747-14-3 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-3: Capteurs à semiconducteurs - Capteurs de pression
| PPUB
| B | 2009-04 | no | Webstore | |
IEC 60747-14-4 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 14-4: Accéléromètres à semiconducteurs
| PPUB
| B | 2011-02 | no | Webstore | |
IEC 60747-14-5 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 14-5: Capteurs à semiconducteurs - Capteur de température à semiconducteurs à jonction PN | PPUB
| B | 2010-02 | no | Webstore | |
1CD
| E | 2014-07 | ||||
1CD
| E | 2014-07 | ||||
1CD
| E | 2014-07 | ||||
IEC 60747-15 Ed. 1.0Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 15: Dispositifs de
puissance à semiconducteurs isolés
| DELPUB
| B | 2003-06 | no | ||
IEC 60747-15 Ed. 2.0Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés
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IEC 60747-15 fF Ed. 1.0Dispositifs discrets à semiconducteurs - Partie 15: Dispositifs de puissance à semiconducteurs isolés | MERGED
| F | 2013-02 | |||
IEC 60747-16-1 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs | PPUB
| B | yes | Webstore | ||
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IEC 60747-16-1 fF Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs
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| F | 2012-05 | |||
IEC 60747-16-1 am1 Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1:
Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs
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IEC 60747-16-1 am1 fF Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-1: Circuits intégrés hyperfréquences - Amplificateurs | MERGED
| F | 2012-03 | |||
IEC 60747-16-2 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-2: Circuits intégrés hyperfréquences - Diviseurs préalables de fréquence | PPUB
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IEC 60747-16-3 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence | PPUB
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IEC 60747-16-3 Ed. 1.1Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence | PPUB
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IEC 60747-16-3 fF Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence
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IEC 60747-16-3 am1 Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3:
Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence
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IEC 60747-16-3 am1 fF Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-3: Circuits intégrés hyperfréquences - Convertisseurs de fréquence
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IEC 60747-16-4 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés
hyperfréquences - Commutateurs
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IEC 60747-16-4 Ed. 1.1Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs | PPUB
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IEC 60747-16-4 fF Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs | MERGED
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IEC 60747-16-4 ff Ed. 1.1Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs | MERGED
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IEC 60747-16-4 am1 Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4:
Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs
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IEC 60747-16-4 am1 fF Ed. 1.0Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-4: Circuits intégrés hyperfréquences - Commutateurs | MERGED
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IEC 60747-16-5 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-5: Circuits intégrés hyperfréquences - Oscillateurs | PPUB
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IEC 60747-16-10 Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-10: Format-cadre pour
agrément de technologie (TAS) pour circuits intégrés monolithiques
hyperfréquences
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IEC 60747-16-10 fF Ed. 1.0Dispositifs à semiconducteurs - Partie 16-10: Format-cadre pour agrément de technologie (TAS) pour circuits intégrés monolithiques hyperfréquences | MERGED
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