International Standards and Conformity Assessment for all electrical, electronic and related technologies

TC 47

Dispositifs à semiconducteurs

 
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TC 47 Fichiers Projets (301)

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IEC 60147-0 ED2

Examen systématique de la CEI 147-0 (1966)

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IEC 60147-0:1966 ED1

Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 0: Généralités et terminologie

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IEC 60147-1 ED3

Examen systématique de la CEI 147-1 (1972)

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IEC 60147-1:1972 ED2

Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesures - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60147-2 ED2

Examen systématique de la CEI 147-2 (1963)

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IEC 60147-2:1963 ED1

Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure

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IEC 60147-3 ED2

Examen systématique de la CEI 147-3 (1970)

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IEC 60147-3:1970 ED1

Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 3: Méthodes de mesure de référence

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IEC 60147-4 ED2

Examen systématique de la CEI 147-4 (1976)

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IEC 60147-4:1976 ED1

Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 4: Réception et fiabilité

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IEC 60147-0B ED2

Examen systématique de la CEI 147-0B (1969)

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IEC 60147-0B:1969 ED1

Complément B - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 0: Généralités et terminologie

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IEC 60147-0C ED2

Examen systématique de la CEI 147-0C (1973)

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Complément C - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 0: Généralités et terminologie

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IEC 60147-0F ED2

Examen systématique de la CEI 147-0F (1982)

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IEC 60147-0F:1982 ED1

Complément F - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 0: Généralités et terminologie

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Examen systématique de la CEI 147-1F (1973)

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IEC 60147-1F:1973 ED2

Complément F - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60147-1G:1975 ED2

Complément G - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesures - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60147-1H ED3

Examen systématique de la CEI 147-1H (1975)

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IEC 60147-1H:1981 ED2

Complément H - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesures - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60147-1J ED3

Examen systématique de la CEI 147-1J (1981)

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IEC 60147-1J:1981 ED2

Complément J - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 1: Valeurs limites et caractéristiques essentielles

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IEC 60147-2B ED2

Examen systématique de la CEI 147-2B (1970)

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IEC 60147-2B:1970 ED1

Complément B - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure

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IEC 60147-2C ED2

Examen systématique de la CEI 147-2C (1970)

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IEC 60147-2C:1970 ED1

Complément C - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure

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IEC 60147-2F ED2

Examen systématique de la CEI 147-2F (1974)

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IEC 60147-2F:1974 ED1

Complément F - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure

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IEC 60147-2K ED2

Examen systématique de la CEI 147-2K (1978)

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IEC 60147-2K:1978 ED1

Complément K - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure

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IEC 60147-2M ED2

Examen systématique de la CEI 147-2M (1980)

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IEC 60147-2M:1980 ED1

Complément M - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 2: Principes généraux des méthodes de mesure

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IEC 60147-3A ED2

Examen systématique de la CEI 147-3A (1973)

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IEC 60147-3A:1973 ED1

Complément A - Valeurs limites et caractéristiques essentielles des dispositifs à semiconducteurs et principes généraux des méthodes de mesure - Partie 3: Méthodes de mesure de référence

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IEC 60747-1:2010+AMD1:2010 CSV ED2.1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités

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IEC 60747-1:2006 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités

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IEC 60747-1:2006/FRAG1 ED2

Révision du terme 'catégorie d'assurance qualité'

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IEC 60747-1:2006/FRAGF ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités

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IEC 60747-1:2006/AMD1:2010 ED2

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Généralités

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IEC 60747-1:1983 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Première partie: Généralités

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IEC 60747-1:1983/AMD2:1993 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets et circuits intégrés - Partie 1: Généralités

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IEC 60747-1:1983/AMD3:1996 ED1

Amendement 3 - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Première partie: Généralités

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EN U 47(SEC.)/1312/CD
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IEC 60749:2002+AMD1:2000+AMD2:2001 CSV ED2.2

Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques

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IEC 60749:1996 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques

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EN-FR U 47/1394/FDIS
IEC 60749:1996/AMD1:2000 ED2

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques

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EN U 47/1390/CD
IEC 60749:1996/AMD2:2001 ED2

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques

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EN-FR Y 47/1574/FDIS PDF file 472 kB
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IEC 60749:1984 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques .

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IEC 60749:1984/AMD1:1991 ED1

Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques .

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IEC 60749:1984/AMD2:1993 ED1

Amendement 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Essais mécaniques et climatiques .

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IEC 60749:1984/AMD4/FRAG1 ED1

Essais mécaniques et climatiques - Méthode d'essai pour détecter la présence d'humidité à l'intérieur d'un boîtier

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IEC 60749:1984/AMD4/FRAG6 ED1

Amendements à la CEI 749 - Inclusion des dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs - Inclusion des dispositifs d'affichage à cristaux liquides - Essais d'endurance

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EN-FR U 47(SEC.)/1276/CD
IEC 60749-1:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 1: Généralités

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IEC 60749-1:2002/COR1:2003 ED1

Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 1: Généralités

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 2: Basse pression atmosphérique

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 2: Basse pression atmosphérique

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IEC 60749-3:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 3 : Examen visuel externe

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IEC 60749-3:2002/COR1:2003 ED1

Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 3: Examen visuel externe

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IEC 60749-4:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 4: Essai continu fortement accéléré de contrainte de chaleur humide (HAST)

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 4: Essai continu fortement accéléré de contrainte de chaleur humide (HAST)

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IEC 60749-5:2003 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 5: Essai continu de durée de vie sous température et humidité avec polarisation

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 6: Stockage à haute température

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 6: Stockage à haute température

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 7: Mesure de la teneur en humidité interne et analyse des autres gaz résiduels

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 7: Mesure de la teneur en humidité interne et analyse des autres gaz résiduels

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IEC 60749-7:2002/COR1:2003 ED1

Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 7: Mesure de la teneur en humidité interne et analyse des autres gaz résiduels

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8: Etanchéité

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8: Etanchéité

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IEC 60749-8:2002/COR2:2003 ED1

Corrigendum 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 8: Etanchéité

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IEC 60749-9:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 9: Permanence du marquage

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 9: Permanence du marquage

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 10: Chocs mécaniques

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IEC 60749-11:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains

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Corrigendum 2 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 11: Variations rapides de température - Méthode des deux bains

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 12: Vibrations, fréquences variables

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IEC 60749-12:2002/COR1:2003 ED1

Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 12: Vibrations, fréquences variables

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IEC 60749-13:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 13 : Atmosphère saline

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IEC 60749-13:2002/COR1:2003 ED1

Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 13: Atmosphère saline

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IEC 60749-14:2003 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 14: Robustesse des sorties (integrité des connexions)

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IEC 60749-15:2010 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de soudage pour dispositifs par trous traversants

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IEC 60749-15:2003 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 15: Résistance à la température de soudage pour dispositifs par trous traversants

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IEC 60749-16:2003 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 16: Détection de bruit d'impact de particules (PIND)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 17: Irradiation aux neutrons

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IEC 60749-18:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 18: Rayonnements ionisants (dose totale)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement

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IEC 60749-19:2003 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 19: Résistance de la pastille au cisaillement

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IEC 60749-20:2008 ED2

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20: Résistance des CMS à boîtier plastique à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de brasage

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EN-FR 2008-12 Y Webstore
IEC 60749-20:2002 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20: Résistance des CMS à boîtier plastique à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de soudage

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EN-FR 2002-09 Y 47/1638/FDIS PDF file 644 kB
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IEC 60749-20:2002/COR1:2003 ED1

Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20: Résistance des CMS à boîtier plastique à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de soudage

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IEC 60749-20-1:2009 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 20-1: Manipulation, emballage, étiquetage et transport des composants pour montage en surface sensibles à l'effet combiné de l'humidité et de la chaleur de brasage

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Dispositifs à semiconducteur - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 21: Brasabilité

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 21: Brasabilité

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 21: Brasabilité

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 22: Robustesse des contacts soudés

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 22: Robustesse des contacts soudés

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 23: Durée de vie en fonctionnement à haute température

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 23 : Durée de vie en fonctionnement à haute température

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 23: Durée de vie en fonctionnement à haute température

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 24: Résistance à l'humidité accélérée - HAST sans polarisation

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 24: Résistance à l'humidité accélérée - HAST sans polarisation

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 25: Cycles de température

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 26: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle du corps humain (HBM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de machine (MM)

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de machine (MM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 27: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) - Modèle de machine (MM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 28: Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques (DES) Modèle de dispositif chargé par contact direct (DC-CDM)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essai mécaniques et climatiques - Partie 29: Essai de verrouillage

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 29: Essai de verrouillage

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 30: Préconditionnement des composants pour montage en surface non hermétiques avant les essais de fiabilité

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 31: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause interne d'inflammation)

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 31: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause interne d'inflammation)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)

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Corrigendum 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)

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Amendement 1 - Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 32: Inflammabilité des dispositifs à encapsulation plastique (cas d'une cause extérieure d'inflammation)

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 33: Résistance à l'humidité accélérée - Autoclave sans polarisation

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 33: Résistance à l'humidité accélérée - Autoclave sans polarisation

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Part 34: Cycles en puissance

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 34: Cycles en puissance

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 34: Cycles en puissance

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 35: Microscopie acoustique pour composants électroniques à boîtier plastique

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 36: Accélération constante

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 37: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'un accéléromètre

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 38: Méthode d'essai des erreurs logicielles pour les dispositifs à semiconducteurs avec mémoire

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 39: Mesure de la diffusion d'humidité et de l'hydrosolubilité dans les matériaux organiques utilisés dans les composants à semiconducteurs

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais climatiques et mécaniques - Partie 40: Méthode d'essai de chute au niveau de la carte avec utilisation d'une jauge de contrainte

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 42: Stockage de température et d'humidité

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 43: Directives concernant les plans de qualification de la fiabilité des CI

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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 44: Méthode d'essai des effets d'un événement isolé (SEE) irradié par un faisceau de neutrons pour des dispositifs à semiconducteurs

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NP-CDV: Dispositifs à semiconducteurs - Information de l'obsolescence des semiconducteurs

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NP-CDV: Dispositifs à semiconducteurs - Information de l'obsolescence des semiconducteurs

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Produits de puces de semiconducteurs - Partie 1: Approvisionnement et utilisation

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Produits de puces de semiconducteurs - Partie 2: Formats d'échange de données

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Produits de puces de semiconducteurs - Partie 2: Formats d'échange de données

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Produits de puces de semiconducteurs - Partie 2: Formats d'échange de données

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Produits à puces de semi-conducteurs - Partie 3: Bonnes pratiques recommandées pour la manipulation, le conditionnement et le stockage

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Produits de puces de semiconducteurs - Partie 4: Questionnaire destiné aux utilisateurs et fournisseurs de puces

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Produits de puce de semiconducteurs - Partie 5: Exigences pour les informations concernant la simulation électrique

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IEC 62258-5:2006/FRAGF ED1

Produits de puce de semiconducteurs - Partie 5: Exigences pour les informations concernant la simulation électrique

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IEC 62373:2006 ED1

Essai de stabilité de température en polarisation pour transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET)

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IEC 62374:2007 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essai de rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour films diélectriques de grille

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IEC 62374-1:2010 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Partie 1: Essai de rupture diélectrique en fonction du temps (TDDB) pour les couches intermétalliques

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IEC 62415:2010 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essai d'électromigration en courant constant

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IEC 62416:2010 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essai de porteur chaud sur les transistors MOS

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IEC 62417:2010 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteurs à oxyde métallique à effet de champ (MOSFETs)

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IEC 62418:2010 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Essai sur les cavités dues aux contraintes de la métallisation

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IEC 62435-1 ED1

Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 1: Généralités

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IEC 62435-2 ED1

Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 2 - Mécanismes de détérioration

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IEC 62435-5 ED1

Composants électroniques - Stockage de longue durée des dispositifs électroniques à semiconducteurs - Partie 5 - Dispositifs de puces et plaquettes

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IEC 62483:2013 ED1

Exigences de réception environnementale pour la susceptibilité des finis de surface en étain et alliage d'étain à la trichite d'étain sur les dispositifs à semiconducteurs

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IEC 62615:2010 ED1

Essai de sensibilité aux décharges électrostatiques - Impulsion de ligne de transmission (TLP) - Niveau composant

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IEC 62779-1:2016 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 1: Exigences générales

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IEC 62779-2:2016 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 2: Caractérisation des performances d'interfaçage

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IEC 62779-3:2016 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Interface à semiconducteurs pour les communications via le corps humain - Partie 3: Type fonctionnel et ses conditions d'utilisation

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IEC 62830-1 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production dénergie - Partie 1: Récupération dénergie piézoélectrique basée sur des vibrations

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IEC 62830-2 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et production d'énergie - Partie 2: Récupération d'énergie thermoélectrique basée sur la puissance thermoélectrique

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IEC 62830-3 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs pour récupération et génération d'énergie - Partie 3: Récupération d'énergie électromagnétique basée sur des vibrations

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IEC 62951-1 ED1

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs à semiconducteurs souples et extensibles - Partie 1: Méthode d'essai de courbure de couches minces conductrices sur des substrats souples

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